Влияние одноосного упругого сжатия на условия возбуждения и параметры рекомбинационных волн в компенсированном кремнии

Avtorlar

  • Н.Ф Зикриллаев

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • А.А Сатторов

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • Н Норкулов

    National University of Uzbekistan image/svg+xml

  • Н.У Абдуллаева

    Ташкентская медицинская Академия

  • Б.С Ибрагимова

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

Gilt sózler: кремний, диффузия, марганец, амплитуда, частота, одноосное сжатие, барический коэффициент, элек- трон, дырка

Annotaciya

Для исследования были полученные образцы кремния диффузионно легированные примесными атомами марганца с кристаллической ориентацией ˂111˃ и ˂110˃ с различным удельным сопротивлением р-типа проводимости. Из анализа результатов исследований установлено, что одноосное упругое сжатие сильно изменяет амплитуду и частоту рекомбинационных волн. Физический механизм изменения параметров автоколебаний тока объясняется моделью зонной диаграммы неоднородного полупроводника материала, которые образуется за счет зарядового состояния примесных атомов марганца в компенсированном кремнии.

Paydalanılǵan ádebiyatlar

1. Zikrillaev N.F., Ayupov K.S., Shoabdurakhimova M.M., Urakova F.E., Abduganiev Y.A., Sattorov A.A., Karieva L.S. Еffect of compensation degree and concentration of impurity electroactive selenium atoms on current auto-oscillation parameters in silicon. East European Journal of Physics. 2023.

2. Bakhadyrkhanov M.K., Azimkhuzhaev Kh., Zikrillaev N.F., Sabdullaev A.B., and Arzikulov É. Semiconductors, 34(2), 171 2000. https://doi.org/10.1134/1.1187929

3. Балкарей Ю.И., Голик Л.Л., Елинсон М.И. Автоволновые среды. Использование в электронике. // «Радиоэлектроника и связь». 1983. Знание. -C. 64.

4. Минин И.В., Минин О.В. Генератор электромагнитных колебаний. RU 2747116 C1. 2021.

5. Бахадирханов М.К., Турсунов А.А., Зикриллаев Н.Ф., Аскаров Ш.И., Бугаева А.Ф. Твердотельный генератор инфраниз- ких частот. Авторское свидетельство № 1342347. 1,06, 1987.

6. Бондарь В.М., Сидоренко Э.А., Яковлев В.А. Термометр на основе осциллистронного эффекта. // ПТЭ. 1982. В. 2. -С. 229-230.

7. Мелких А.В., Рыбаков Ф.Н., Повзнер А.А. Распределенная модель организации автоколебаний в полупроводнике вы- званных Джоулевым саморазогревом. // Письма в ЖТФ. 2005 г. Т. 31. В. 16. -С. 67.

8. Коломоец В.В., Сусь В.А. Установка для исследования электрофизических свойств полупроводниковых материалов в условиях низкотемпературной пластической деформации. // Приборы и техника эксперимента. 1975. № 4. -С. 214-215.

9. Александрова Г.А., Завадский Ю.И., Корнилов Б.В. Неустойчивости тока в эпитаксиальных слоях GaAs, компенсированных несколькими примесями с глубокими уровнями энергии. // Физика и техника полупроводников. 1975. Т. 9. В. 4. -С. 747.

10. Holonyak N., Bevacqua S.F. Oscillation in semiconductors due to deep levels. Applied Physics Letters, 1963, Volume 2, № 4, - Р. 71-73. https://doi.org/10.1063/1.1753780

11. Юнусов М.С., Ахмадалиев А., Оксенгендлер Б.Л., Бегматов К.А. О некоторых закономерностях электронного спектра примесных центров d-элементов в кремнии. // ФТП. 1995 г. Т. 29. В. 4. -С. 714-717.