Влияние одноосного упругого сжатия на условия возбуждения и параметры рекомбинационных волн в компенсированном кремнии

Authors

  • Н.Ф Зикриллаев

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • А.А Сатторов

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • Н Норкулов

    National University of Uzbekistan image/svg+xml

  • Н.У Абдуллаева

    Ташкентская медицинская Академия

  • Б.С Ибрагимова

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

Keywords: silicon, diffusion, manganese, amplitude, frequency, uniaxial compression, pressure coefficient, electron, hole

Abstract

For the study, silicon samples were obtained, diffusion doped with impurity manganese atoms with crystal orientation ˂111˃ and ˂110˃ with different resistivity of p-type conductivity. From an analysis of the research results, it was established that uniaxi- al elastic compression greatly changes the amplitude and frequency of recombination waves. The physical mechanism for changing the parameters of self-oscillations of current is explained by the model of the band diagram of an inhomogeneous semiconductor material, which is formed due to the charge state of impurity manganese atoms in compensated silicon.

References

1. Zikrillaev N.F., Ayupov K.S., Shoabdurakhimova M.M., Urakova F.E., Abduganiev Y.A., Sattorov A.A., Karieva L.S. Еffect of compensation degree and concentration of impurity electroactive selenium atoms on current auto-oscillation parameters in silicon. East European Journal of Physics. 2023.

2. Bakhadyrkhanov M.K., Azimkhuzhaev Kh., Zikrillaev N.F., Sabdullaev A.B., and Arzikulov É. Semiconductors, 34(2), 171 2000. https://doi.org/10.1134/1.1187929

3. Балкарей Ю.И., Голик Л.Л., Елинсон М.И. Автоволновые среды. Использование в электронике. // «Радиоэлектроника и связь». 1983. Знание. -C. 64.

4. Минин И.В., Минин О.В. Генератор электромагнитных колебаний. RU 2747116 C1. 2021.

5. Бахадирханов М.К., Турсунов А.А., Зикриллаев Н.Ф., Аскаров Ш.И., Бугаева А.Ф. Твердотельный генератор инфраниз- ких частот. Авторское свидетельство № 1342347. 1,06, 1987.

6. Бондарь В.М., Сидоренко Э.А., Яковлев В.А. Термометр на основе осциллистронного эффекта. // ПТЭ. 1982. В. 2. -С. 229-230.

7. Мелких А.В., Рыбаков Ф.Н., Повзнер А.А. Распределенная модель организации автоколебаний в полупроводнике вы- званных Джоулевым саморазогревом. // Письма в ЖТФ. 2005 г. Т. 31. В. 16. -С. 67.

8. Коломоец В.В., Сусь В.А. Установка для исследования электрофизических свойств полупроводниковых материалов в условиях низкотемпературной пластической деформации. // Приборы и техника эксперимента. 1975. № 4. -С. 214-215.

9. Александрова Г.А., Завадский Ю.И., Корнилов Б.В. Неустойчивости тока в эпитаксиальных слоях GaAs, компенсированных несколькими примесями с глубокими уровнями энергии. // Физика и техника полупроводников. 1975. Т. 9. В. 4. -С. 747.

10. Holonyak N., Bevacqua S.F. Oscillation in semiconductors due to deep levels. Applied Physics Letters, 1963, Volume 2, № 4, - Р. 71-73. https://doi.org/10.1063/1.1753780

11. Юнусов М.С., Ахмадалиев А., Оксенгендлер Б.Л., Бегматов К.А. О некоторых закономерностях электронного спектра примесных центров d-элементов в кремнии. // ФТП. 1995 г. Т. 29. В. 4. -С. 714-717.