Фотоэлектрические и оптические свойства кремния с бинарными соединениями атомов фосфора и галлия

Mualliflar

  • Н.Ф Зикриллаев

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • С.Б. Курбанова У.Х Исамов

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • Ф.Э. Сатторов А.А Уракова

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

Kalit so‘zlar: кремний, соединения, диффузия, технология, галлий, фосфор, фотоэлемент

Annotatsiya

Исследования фотоэлектрические и оптические свойства кремния с бинарными соединениями примесных атомов фосфора и галлия показали, что их фотоэлектрические и оптические параметры сильно отличается от исходного кремния. Результаты исследования фотоэлектрические и оптических свойства полученных образцов кремния показало, что в кремний образуется новые элементные ячейки и нанокластеры на основе бинарных соединения атомов фосфора и галлия. Образованные эти бинарные соединения можно рассматривать как новый нанообъект в которых можно наблюдать размерные квантование.

Foydalanilgan adabiyotlar

1. Георгиця Е. и др. Структура примесного центра Mn в антимониде галлия// ФТП. 1992. Т.26. Вып.1. -С.89-91.

2. Куликов Г.С. Влияние Mn на диффузионные распределения Ni в Si//ФТП.1995. Т. 3.-С.469.

3. Таскин А.А., Тишковский Е.Г. Образование квазимолекул Se в кремнии, легированном селеном //ФТП.1998. Т.32. № 11. -С. 1306-1312.

4. Bakhdyrhanov M.K., Ismaylov B.K., Tachilin S.A., Ismaylov K.A., Zikrillayev N.F. Influence of Electrically Neutral Atoms on Electrical and Recombintion Parameters of Silicon. // Semiconductor Physics. Quantum Electronics Optoelectronics. 2020. Vol.23. Issue 4.-Р. 361-365.

5. Суздалев И.П. Физика-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. // Нанотехнология. -М.: 2009. -С. 589.

6. Kang J., Park J.S., Stradins P., Wei S.H. Non-isovalent Si-III-V and Si-II-VI alloys: Covalent, ionic and their mixed phases. // Physical Review B. 2017. Vol. 96, Issue 4. -Р. 1-20.

7. Уваров А.В., Баранов А.И., Вячеславова Е.А., Каложный Н.А., Кудряшов Д.А., Максимова А.А., Морозов И.А., Минта- иров С.А., Салий Р.А., Гудовских А.С. Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения. // Письма в ЖТФ. 2021. Том 47. Вып. 14. -С. 51-54.

8. Лунин Л.С., Лунина М.Л., Девицкий О.В., Сысоев И.А. Импульсное лазерное напыление тонких пленок Al Ga As и x 1-x GaP на подложках Si для фотопреобразователей. // Физика и техника полупроводников. 2017. том 51. вып.3. -С. 403-408.

9. Соболев М.С., Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Гудовских А.С., Егоров А.Ю. Молекулярно – пучковая эпитаксия GaP на подложке Si. // Физика и техника полупроводников. 2015. Том. 49. Вып. 4. -C. 569-572.

10. Гусев А.И. Наноматериалы наноструктуры нанотехнологии. –Москва: Физматлит. 2007

11. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. –Ленинград: «Наука», 1972. -C. 384.

12. Бахадырханов М.К., Кенжаев З.Т., Ковешников С.В., Усмонов А.А., Мавлонов Г.Х.. Образование комплексов примес- ных атомов фосфора и бора в кремнии. // Неоргонические материалы. 2022. Том. 58. Вып.1. -С. 3–9.

13. Бахадирханов М.К.,. Абдурахманов Б.А, Зикриллаев Х.Ф. О состоянии германия в кремнии в условиях низкотемпера- турной диффузии. // Приборы. 2018. Том. 215. Вып.5. -C. 39-43.

14. Зикриллаев Н.Ф., Исамов С.Б., Турекеев Х.С., Камалов А.Б., Акимова Ж.О. Кремнийга фосфор ва галлийнинг кет-

15. Zikrillaev N.F., Koveshnikov S.V., Turekeev Kh.S., Norqulov¶N., Tachilin S.A. Diffusion of Phosphorus and Gallium from a Deposited Layer of Gallium Phosphide into Silicon. // Physics of the Solid State. 2022. Vol. 64. No. 11.-Р. 587-594.

16. Zikrillaev N.F., Isamov S.B., Koveshnikov S.V., Kenzhaev Z.T., Turekeev Kh.S. Codiffusion of Gallium and Phosphorus Atoms in Silicon. //Surface Engineering and Applied Electrochemistry. 2023. Vol. 59. No. 2. -Р. 210–215.

17. Зикриллаев Н.Ф., Турекеев Х.С. Состав кремния одновременно легированного примесными атомами галлия и фосфора. // Илм сарчашмалари. 2022. № 9. -С. 180-183.

18. Штольц А.К., Медведев А.И., Курбатов Л.В. Рентгеновский фазовый анализ. // Методические указания. 2005. Е. -С. 24.

19. Лазаренко А.А. Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP (As, N) на под- ложках Si и GaP. // Кандидатская диссертация. -Санкт-Петербург: 2020. -С. 115.