Фотоэлектрические и оптические свойства кремния с бинарными соединениями атомов фосфора и галлия

Authors

  • Н.Ф Зикриллаев

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • С.Б. Курбанова У.Х Исамов

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • Ф.Э. Сатторов А.А Уракова

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

Keywords: silicon, compounds, diffusion, technology, gallium, phosphorus, photocell

Abstract

Studies of photoelectric and optical properties of silicon with binary compounds of impurity phosphorus and gallium atoms have shown that their photoelectric and optical parameters are very different from the original silicon. The results of the study of photoelectric and optical properties of the obtained silicon samples showed that new elemental cells and nanoclusters are formed in silicon based on binary compounds of phosphorus and gallium atoms. These formed binary compounds can be considered as new nano- objects in which dimensional quantization can be observed.

References

1. Георгиця Е. и др. Структура примесного центра Mn в антимониде галлия// ФТП. 1992. Т.26. Вып.1. -С.89-91.

2. Куликов Г.С. Влияние Mn на диффузионные распределения Ni в Si//ФТП.1995. Т. 3.-С.469.

3. Таскин А.А., Тишковский Е.Г. Образование квазимолекул Se в кремнии, легированном селеном //ФТП.1998. Т.32. № 11. -С. 1306-1312.

4. Bakhdyrhanov M.K., Ismaylov B.K., Tachilin S.A., Ismaylov K.A., Zikrillayev N.F. Influence of Electrically Neutral Atoms on Electrical and Recombintion Parameters of Silicon. // Semiconductor Physics. Quantum Electronics Optoelectronics. 2020. Vol.23. Issue 4.-Р. 361-365.

5. Суздалев И.П. Физика-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. // Нанотехнология. -М.: 2009. -С. 589.

6. Kang J., Park J.S., Stradins P., Wei S.H. Non-isovalent Si-III-V and Si-II-VI alloys: Covalent, ionic and their mixed phases. // Physical Review B. 2017. Vol. 96, Issue 4. -Р. 1-20.

7. Уваров А.В., Баранов А.И., Вячеславова Е.А., Каложный Н.А., Кудряшов Д.А., Максимова А.А., Морозов И.А., Минта- иров С.А., Салий Р.А., Гудовских А.С. Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения. // Письма в ЖТФ. 2021. Том 47. Вып. 14. -С. 51-54.

8. Лунин Л.С., Лунина М.Л., Девицкий О.В., Сысоев И.А. Импульсное лазерное напыление тонких пленок Al Ga As и x 1-x GaP на подложках Si для фотопреобразователей. // Физика и техника полупроводников. 2017. том 51. вып.3. -С. 403-408.

9. Соболев М.С., Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Гудовских А.С., Егоров А.Ю. Молекулярно – пучковая эпитаксия GaP на подложке Si. // Физика и техника полупроводников. 2015. Том. 49. Вып. 4. -C. 569-572.

10. Гусев А.И. Наноматериалы наноструктуры нанотехнологии. –Москва: Физматлит. 2007

11. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. –Ленинград: «Наука», 1972. -C. 384.

12. Бахадырханов М.К., Кенжаев З.Т., Ковешников С.В., Усмонов А.А., Мавлонов Г.Х.. Образование комплексов примес- ных атомов фосфора и бора в кремнии. // Неоргонические материалы. 2022. Том. 58. Вып.1. -С. 3–9.

13. Бахадирханов М.К.,. Абдурахманов Б.А, Зикриллаев Х.Ф. О состоянии германия в кремнии в условиях низкотемпера- турной диффузии. // Приборы. 2018. Том. 215. Вып.5. -C. 39-43.

14. Зикриллаев Н.Ф., Исамов С.Б., Турекеев Х.С., Камалов А.Б., Акимова Ж.О. Кремнийга фосфор ва галлийнинг кет-

15. Zikrillaev N.F., Koveshnikov S.V., Turekeev Kh.S., Norqulov¶N., Tachilin S.A. Diffusion of Phosphorus and Gallium from a Deposited Layer of Gallium Phosphide into Silicon. // Physics of the Solid State. 2022. Vol. 64. No. 11.-Р. 587-594.

16. Zikrillaev N.F., Isamov S.B., Koveshnikov S.V., Kenzhaev Z.T., Turekeev Kh.S. Codiffusion of Gallium and Phosphorus Atoms in Silicon. //Surface Engineering and Applied Electrochemistry. 2023. Vol. 59. No. 2. -Р. 210–215.

17. Зикриллаев Н.Ф., Турекеев Х.С. Состав кремния одновременно легированного примесными атомами галлия и фосфора. // Илм сарчашмалари. 2022. № 9. -С. 180-183.

18. Штольц А.К., Медведев А.И., Курбатов Л.В. Рентгеновский фазовый анализ. // Методические указания. 2005. Е. -С. 24.

19. Лазаренко А.А. Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP (As, N) на под- ложках Si и GaP. // Кандидатская диссертация. -Санкт-Петербург: 2020. -С. 115.