YARÍMÓTKIZGISHLERDIŃ TIYKARǴÍ PARAMETRLERINIŃ BASÍM TÁSIRINDE ÓZGERIWI

Mualliflar

  • Tursınbaev S.A.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • Tajetdinova M.O.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • Oteulieva Yu.M.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Kalit so‘zlar: kremniy, yarimoʻtkazgich, kirishma atomlar, tenzosezgirlik, bosim, harorat, mexanik deformatsiya, datchiklar

Annotatsiya

Ushbu maqolada yarimoʻtkazgichlarning tenzosezgirlik xususiyatlari va ularning kirishma atomlari bilan legirlangan holatdagi oʻzgarishlari tadqiq qilingan. Tadqiqot ishida yuqori harorat va mexanik deformatsiyaga ega bo‘lgan tashqi ta’sirlar, kremniy materiallarning elektrofizik parametrlari va tenzoelektrik xususiyatlariga ta’siri o‘rganilgan. Xususan, kremniy va uning kirishma atomlari bilan legirlangan namunalarining elektr qarshiligi, magnit qarshiligi va termo-oʻzgaruvchanligi kabi fizik parametrlarining bosimga bogʻliq oʻzgarishi koʻrsatilgan. Yangi yarimo‘tkazgich materiallar va datchiklar yaratish uchun ushbu xususiyatlarining o‘rganilishi katta ilmiy va amaliy ahamiyatga ega. Tadqiqot natijalari mikro va nanoelektronika sohasida yuqori sezgir datchiklar ishlab chiqarishda muhim ilmiy ahamiyat kasb etadi.

Foydalanilgan adabiyotlar

1. Осадчук В.С., Осадчук А.В., Билоконь Н.Л., Кривошея А.А. Влияние давления на параметры полупроводниковых структур. // Автоматика и информационно-измерительная техника. Наукові праці ВНТУ. 2009, №1. -С.1-5.

2. Щенников В.В., Овсянников С.В. Термоэдс серы при высоком давлении. // Физика твердого тела, 2003, Т. 45, вып. 4. -С. 590-593.

3. Прокудин С.В., Усеинов А.С. Наблюдение особенностей фазовых переходов в кремнии при высоком локальном давлении в условиях индентирования. Материалы электронной техники. № 1. 2012. -С. 17-21.

4. Джонсон К. Механика контактного взаимодействия / К. Джонсон. −М.: «Мир», 1989. –С.506.

5. Дружинин А.А., Кутраков А.П., Лях-Кагуй Н.С., Вуйцик А.М. Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013, №4, -С. 23-26.

6. Дружинин А.А., Марьямова И.И., Кутракова А.П. и др. Полупроводниковые сенсоры механических величин на основе микрокристаллов кремния для экстремальных условий. // Микросистемная техника. 2001. №9. -С. 3-8.

7. Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Зикриллаев Х.Ф. Влияние одноосного сжатия на фотопроводимость сильнокомпенсированного Si. // Письма в «Журнал технической физики», 1998, Т. 24, вып. 22, -С. 23 – 28.

8. Tursinbаеv S.А.. Influеncе оf Illuminаtiоn аnd Теmреrаturе оn Теnsо Рrореrtiеs оf Silicоn with Nаnоclustеrs оf Маngаnеsе Аtоms // Sеmiсоnduсtоrs. 2022, Vоl. 56, Nо. 6. -Р. 407–410.

9. Kаmаlоv А.B., Khаmdаmоv J.J., Sараrоv F.А., Tursinbаеv S.А. Influеncе оf рrеssurе оn thе еlеctricаl chаrаctеristics оf silicоn аnd diеlеctric cоаting // Физикa пoлyпpoвoдникoв и микpoэлeктpoникa. 2022, Т. 4, вып. 1. -С. 30-36.

10. Турсынбаев С.А., Камалов А.Б., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Кушиев Г.А. Тензосвойства кремния с нанокластерами. // Физика полупроводников и микроэлектроника. 2019. Т. 1, вып. 4, -С. 62-67.

11. Турсынбаев С.А., Камалов А.Б., Исамов C.Б., Тачилин С.А. Разработка установки для изучения влияния электрического поля, температуры и освещения на параметры полупроводникового материала в условиях локального давления. // Приборы. 2022, 1 (259). -С. 19-22.

12. Kаmаlоv А.B., Tursinbаеv S.А., Iliуеv Kh.M., Shоаbdurаkhimоvа M.M. Influеncе оf lighting оn tеnsо-sеnsitivitу оf silicоn dореd with mаngаnеsе. // Sciеntific-tеchnicаl jоurnаl (Fеrgаnа). 2020, Vоl. 3, №. 5. -Р. 45-47.