YARÍMÓTKIZGISHLERDIŃ TIYKARǴÍ PARAMETRLERINIŃ BASÍM TÁSIRINDE ÓZGERIWI

Avtorlar

  • Tursınbaev S.A.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • Tajetdinova M.O.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • Oteulieva Yu.M.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Gilt sózler: silicon, semiconductor, impurity atoms, strain-sensitivity, pressure, temperature, mechanical deformation, sensors

Annotaciya

This article studies the strain-sensitive properties of semiconductors and their changes in the doped state with impurity atoms. The study examines the influence of external factors such as pressure, temperature and mechanical deformation on the electrophysical parameters and strain-sensitive properties of silicon materials. In particular, it shows the change in the physical parameters such as electrical resistance, magnetic resistance and thermal conductivity of silicon and samples doped with dopant atoms depending on pressure. The study of these properties is of great scientific and practical importance for the creation of new semiconductor materials and sensors. The results of the study are an important step in the development of highly sensitive sensors in the field of micro- and nanoelectronics.

Paydalanılǵan ádebiyatlar

1. Осадчук В.С., Осадчук А.В., Билоконь Н.Л., Кривошея А.А. Влияние давления на параметры полупроводниковых структур. // Автоматика и информационно-измерительная техника. Наукові праці ВНТУ. 2009, №1. -С.1-5.

2. Щенников В.В., Овсянников С.В. Термоэдс серы при высоком давлении. // Физика твердого тела, 2003, Т. 45, вып. 4. -С. 590-593.

3. Прокудин С.В., Усеинов А.С. Наблюдение особенностей фазовых переходов в кремнии при высоком локальном давлении в условиях индентирования. Материалы электронной техники. № 1. 2012. -С. 17-21.

4. Джонсон К. Механика контактного взаимодействия / К. Джонсон. −М.: «Мир», 1989. –С.506.

5. Дружинин А.А., Кутраков А.П., Лях-Кагуй Н.С., Вуйцик А.М. Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013, №4, -С. 23-26.

6. Дружинин А.А., Марьямова И.И., Кутракова А.П. и др. Полупроводниковые сенсоры механических величин на основе микрокристаллов кремния для экстремальных условий. // Микросистемная техника. 2001. №9. -С. 3-8.

7. Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Зикриллаев Х.Ф. Влияние одноосного сжатия на фотопроводимость сильнокомпенсированного Si. // Письма в «Журнал технической физики», 1998, Т. 24, вып. 22, -С. 23 – 28.

8. Tursinbаеv S.А.. Influеncе оf Illuminаtiоn аnd Теmреrаturе оn Теnsо Рrореrtiеs оf Silicоn with Nаnоclustеrs оf Маngаnеsе Аtоms // Sеmiсоnduсtоrs. 2022, Vоl. 56, Nо. 6. -Р. 407–410.

9. Kаmаlоv А.B., Khаmdаmоv J.J., Sараrоv F.А., Tursinbаеv S.А. Influеncе оf рrеssurе оn thе еlеctricаl chаrаctеristics оf silicоn аnd diеlеctric cоаting // Физикa пoлyпpoвoдникoв и микpoэлeктpoникa. 2022, Т. 4, вып. 1. -С. 30-36.

10. Турсынбаев С.А., Камалов А.Б., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Кушиев Г.А. Тензосвойства кремния с нанокластерами. // Физика полупроводников и микроэлектроника. 2019. Т. 1, вып. 4, -С. 62-67.

11. Турсынбаев С.А., Камалов А.Б., Исамов C.Б., Тачилин С.А. Разработка установки для изучения влияния электрического поля, температуры и освещения на параметры полупроводникового материала в условиях локального давления. // Приборы. 2022, 1 (259). -С. 19-22.

12. Kаmаlоv А.B., Tursinbаеv S.А., Iliуеv Kh.M., Shоаbdurаkhimоvа M.M. Influеncе оf lighting оn tеnsо-sеnsitivitу оf silicоn dореd with mаngаnеsе. // Sciеntific-tеchnicаl jоurnаl (Fеrgаnа). 2020, Vоl. 3, №. 5. -Р. 45-47.