СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ОБРАБОТКА КАРБИДКРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ Au-TiBx-n-SiC 6H

Mualliflar

  • Камалов А.Б.

    AJINIYOZ NOMIDAGI NUKUS DAVLAT PEDAGOGIKA INSTITUTI image/svg+xml

  • Абдижалиев С.К.

    AJINIYOZ NOMIDAGI NUKUS DAVLAT PEDAGOGIKA INSTITUTI image/svg+xml

  • Абдуллаева Д.

    Karakalpak State University image/svg+xml

Калит сўзлар: кремний карбиди, Шоттки барьери, барьер баландлиги, ноидеаллик фактори

Аннотация

Ушбу мақолада кремний карбиди асосида яратилган Шотки барьерли диодли структураларнинг электрофизик хусусиятларига ўта юқори частотали нурланишларининг таъсири бўйича олиб борилган ишларнинг натижалари баён этилган.

Фойдаланилган адабиётлар

1. Строкан Н.Б., Иванов А.М., Бойко М.Е., Савкина Н.С., Стрельчук А.М., Лебедев А.А., Якимова Р. Карбидкремниевые транзисторные структуры как детекторы слабоионизирующего излучения. //ФТП, 2003, том 37, вып.1, -С. 65-69.

2. Вавилов В.С., Горин Б.М., Данилин Н.С., Кив А.Е., Нуров Ю.А., Шаховцев В.И. Радиационные методы в твердотельной электронике. -М.: «Радио и связь», 1990, -С. 184.

3. Мамонтов А.П., Чернов И.И. Эффект малых доз ионизирующего излучения. –М.: Энергоатомиздат, 2001, -С.250.

4. Абдурахимов Д.Е., Вахидов Ф.Ш., Верещагин В.Л., Калинушкин В.П., Плоппа М.Г., Райзер М.Д.. Изменение свойств полупроводниковых материалов в результате воздействия СВЧ импульсов наносекундной и микросекундной длительности. // Микроэлектроника, 1991, том 20, вып.1, -С.21-25

5. Агеев О.А., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Миленин В.В., Пилипенко В.А. Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС. Харьков: НТК “Институт монокристаллов”, 2008, –С. 392.