СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ОБРАБОТКА КАРБИДКРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ Au-TiBx-n-SiC 6H

Authors

  • А.Б. Камалов

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • С.К. Абдижалиев

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • Д. Абдуллаева

    Karakalpak State University image/svg+xml

Keywords: silicon carbide, Schottky barrier, barrier height, factor nonideality

Abstract

In this article were presented results of investigations of high frequency influence treatment on electrophysical properties of diode structures with Schottky barrier based on silicon carbide.

References

1. Строкан Н.Б., Иванов А.М., Бойко М.Е., Савкина Н.С., Стрельчук А.М., Лебедев А.А., Якимова Р. Карбидкремниевые транзисторные структуры как детекторы слабоионизирующего излучения. //ФТП, 2003, том 37, вып.1, -С. 65-69.

2. Вавилов В.С., Горин Б.М., Данилин Н.С., Кив А.Е., Нуров Ю.А., Шаховцев В.И. Радиационные методы в твердотельной электронике. -М.: «Радио и связь», 1990, -С. 184.

3. Мамонтов А.П., Чернов И.И. Эффект малых доз ионизирующего излучения. –М.: Энергоатомиздат, 2001, -С.250.

4. Абдурахимов Д.Е., Вахидов Ф.Ш., Верещагин В.Л., Калинушкин В.П., Плоппа М.Г., Райзер М.Д.. Изменение свойств полупроводниковых материалов в результате воздействия СВЧ импульсов наносекундной и микросекундной длительности. // Микроэлектроника, 1991, том 20, вып.1, -С.21-25

5. Агеев О.А., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Миленин В.В., Пилипенко В.А. Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС. Харьков: НТК “Институт монокристаллов”, 2008, –С. 392.