СТАТИСТИКА РЕКОМБИНАЦИИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ПАРНЫМИ РЕКОМБИНАЦИОННЫМИ КОМПЛЕКСАМИ, АКТИВНОСТЬ КОТОРЫХ СНИЖАЕТСЯ В ПРОЦЕССЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ

Mualliflar

  • Лейдерман А.Ю.

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • Рахмонов У.Х.

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • «Физика Физико-технический институт НПО

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • Утениязов А.К.

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • Уктамова М.К.

    НИИ Физики полупроводников и микроэлектроники НУУз.

  • Нсанбаев М.Т.

    AJINIYOZ NOMIDAGI NUKUS DAVLAT PEDAGOGIKA INSTITUTI image/svg+xml

Калит сўзлар: рекомбинация, донор-акцептор жуфтлари, рекомбинацион активликнинг пасайиши

Аннотация

Активлиги қўзғотиш жараёнида пасаювчи жуфт рекомбинацион комплексга эга яримўтказгич модели учун номувозанатий ташувчиларнинг рекомбинация тезлиги ҳисоблаб чиқилди. Рекомбинация тезлиги ифодаси Шокли-Рид классик боғлиқлиги билан мос келганда, биринчи сатҳдаги электрон тутилиши коэффициентининг иккинчи тўлдирилган сатҳга боғлиқлиги ҳаттоки кичик инерцияли рекомбинацион жараёнларларда ҳам рекомбинация тезлигининг пасайишига олиб келиши кўрсатилган.

Фойдаланилган адабиётлар

1. Лейдерман А.Ю., Минбаева М.К. (1996). Механизм быстрого роста прямого тока в полупроводниковых диодных структурах. ФТП, 1996, т. 30, №10, -С. 1729-1738.

2. Лейдерман А.Ю., Хашаев М.М. Особенности рекомбинации в полупроводниках AIIIBV. ДАН РУз, №3, -С. 22-24, 2012.

3. Leiderman A.Yu. Applied Solar Energy. 2008, vol. 44, №-2, P. 82-86.

4. Лейдерман А.Ю. Новые синергетические эффекты в полупроводниках. Материалы конференции НПО «Физика - Солнце» АН РУз. –Ташкент: 2016. -С. 152-161.

5. Lang D.W. Logan R.A. Phys. Review Letters, 1977, vol. 39, № -10, -Р. 635-638.

6. Гринь Е.Ф., Любченко А.В., Сальков Е.А., Шейнкман М.К. Об излучательной рекомбинации через донорно-акцепторные пары в CdS при низких температурах. ФТП, 1975, т. 9, № 2, -С. 303-310.