СТАТИСТИКА РЕКОМБИНАЦИИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ПАРНЫМИ РЕКОМБИНАЦИОННЫМИ КОМПЛЕКСАМИ, АКТИВНОСТЬ КОТОРЫХ СНИЖАЕТСЯ В ПРОЦЕССЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ

Avtorlar

  • Лейдерман А.Ю.

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • Рахмонов У.Х.

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • «Физика Физико-технический институт НПО

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • Утениязов А.К.

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • Уктамова М.К.

    НИИ Физики полупроводников и микроэлектроники НУУз.

  • Нсанбаев М.Т.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Gilt sózler: рекомбинация, донор-акцептор жуфтлари, рекомбинацион активликнинг пасайиши

Annotaciya

В статье рассчитана скорость рекомбинации неравновесных носителей для модели полупроводника с парным рекомбинационным комплексом, активность которого снижается в процессе возбуждения. Показано, что зависимость коэффициента захвата электрона на первый уровень от заполнения второго уровня приводит к убыванию скорости рекомбинации даже в случае малой инерционности процессов рекомбинации, когда выражение для скорости рекомбинации сходно с классической зависимостью Шокли-Рида.

Paydalanılǵan ádebiyatlar

1. Лейдерман А.Ю., Минбаева М.К. (1996). Механизм быстрого роста прямого тока в полупроводниковых диодных структурах. ФТП, 1996, т. 30, №10, -С. 1729-1738.

2. Лейдерман А.Ю., Хашаев М.М. Особенности рекомбинации в полупроводниках AIIIBV. ДАН РУз, №3, -С. 22-24, 2012.

3. Leiderman A.Yu. Applied Solar Energy. 2008, vol. 44, №-2, P. 82-86.

4. Лейдерман А.Ю. Новые синергетические эффекты в полупроводниках. Материалы конференции НПО «Физика - Солнце» АН РУз. –Ташкент: 2016. -С. 152-161.

5. Lang D.W. Logan R.A. Phys. Review Letters, 1977, vol. 39, № -10, -Р. 635-638.

6. Гринь Е.Ф., Любченко А.В., Сальков Е.А., Шейнкман М.К. Об излучательной рекомбинации через донорно-акцепторные пары в CdS при низких температурах. ФТП, 1975, т. 9, № 2, -С. 303-310.