YARÍMÓTKIZGISHLERDIŃ TIYKARǴÍ PARAMETRLERINIŃ BASÍM TÁSIRINDE ÓZGERIWI

Авторы

  • Tursınbaev S.A.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • Tajetdinova M.O.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • Oteulieva Yu.M.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Ключевые слова: кремний, полупроводник, примесные атомы, тензочувствительность, давление, температура, механическая деформация, датчики

Аннотация

В данной статье исследованы тензочувствительные свойства полупроводников и их изменения в легированном состоянии атомами примеси. В ходе исследования изучено влияние внешних факторов, таких как давление, температура и механическая деформация, на электрофизические параметры и тензоэлектрические свойства кремниевых материалов. В частности, показано изменение в зависимости от давления физических параметров, таких как электрическое сопротивление, магнитное сопротивление и теплопроводность кремния и образцов, легированных атомами легирующей примеси. Исследование этих свойств имеет большое научное и практическое значение для создания новых полупроводниковых материалов и сенсоров. Результаты исследования являются важным шагом в разработке высокочувствительных сенсоров в области микро- и наноэлектроники.

Библиографические ссылки

1. Осадчук В.С., Осадчук А.В., Билоконь Н.Л., Кривошея А.А. Влияние давления на параметры полупроводниковых структур. // Автоматика и информационно-измерительная техника. Наукові праці ВНТУ. 2009, №1. -С.1-5.

2. Щенников В.В., Овсянников С.В. Термоэдс серы при высоком давлении. // Физика твердого тела, 2003, Т. 45, вып. 4. -С. 590-593.

3. Прокудин С.В., Усеинов А.С. Наблюдение особенностей фазовых переходов в кремнии при высоком локальном давлении в условиях индентирования. Материалы электронной техники. № 1. 2012. -С. 17-21.

4. Джонсон К. Механика контактного взаимодействия / К. Джонсон. −М.: «Мир», 1989. –С.506.

5. Дружинин А.А., Кутраков А.П., Лях-Кагуй Н.С., Вуйцик А.М. Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013, №4, -С. 23-26.

6. Дружинин А.А., Марьямова И.И., Кутракова А.П. и др. Полупроводниковые сенсоры механических величин на основе микрокристаллов кремния для экстремальных условий. // Микросистемная техника. 2001. №9. -С. 3-8.

7. Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Зикриллаев Х.Ф. Влияние одноосного сжатия на фотопроводимость сильнокомпенсированного Si. // Письма в «Журнал технической физики», 1998, Т. 24, вып. 22, -С. 23 – 28.

8. Tursinbаеv S.А.. Influеncе оf Illuminаtiоn аnd Теmреrаturе оn Теnsо Рrореrtiеs оf Silicоn with Nаnоclustеrs оf Маngаnеsе Аtоms // Sеmiсоnduсtоrs. 2022, Vоl. 56, Nо. 6. -Р. 407–410.

9. Kаmаlоv А.B., Khаmdаmоv J.J., Sараrоv F.А., Tursinbаеv S.А. Influеncе оf рrеssurе оn thе еlеctricаl chаrаctеristics оf silicоn аnd diеlеctric cоаting // Физикa пoлyпpoвoдникoв и микpoэлeктpoникa. 2022, Т. 4, вып. 1. -С. 30-36.

10. Турсынбаев С.А., Камалов А.Б., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Кушиев Г.А. Тензосвойства кремния с нанокластерами. // Физика полупроводников и микроэлектроника. 2019. Т. 1, вып. 4, -С. 62-67.

11. Турсынбаев С.А., Камалов А.Б., Исамов C.Б., Тачилин С.А. Разработка установки для изучения влияния электрического поля, температуры и освещения на параметры полупроводникового материала в условиях локального давления. // Приборы. 2022, 1 (259). -С. 19-22.

12. Kаmаlоv А.B., Tursinbаеv S.А., Iliуеv Kh.M., Shоаbdurаkhimоvа M.M. Influеncе оf lighting оn tеnsо-sеnsitivitу оf silicоn dореd with mаngаnеsе. // Sciеntific-tеchnicаl jоurnаl (Fеrgаnа). 2020, Vоl. 3, №. 5. -Р. 45-47.