СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ОБРАБОТКА КАРБИДКРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ Au-TiBx-n-SiC 6H

Авторы

  • Камалов А.Б.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • Абдижалиев С.К.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • Абдуллаева Д.

    Karakalpak State University image/svg+xml

Ключевые слова: кремний карбиди, Шоттки барьери, барьер баландлиги, ноидеаллик фактори

Аннотация

В данной статье представлены результаты исследования по влиянию сверхвысокочастотных излучений на электрофизические свойства диодных структур с барьером Шоттки на основе карбида кремния.

Библиографические ссылки

1. Строкан Н.Б., Иванов А.М., Бойко М.Е., Савкина Н.С., Стрельчук А.М., Лебедев А.А., Якимова Р. Карбидкремниевые транзисторные структуры как детекторы слабоионизирующего излучения. //ФТП, 2003, том 37, вып.1, -С. 65-69.

2. Вавилов В.С., Горин Б.М., Данилин Н.С., Кив А.Е., Нуров Ю.А., Шаховцев В.И. Радиационные методы в твердотельной электронике. -М.: «Радио и связь», 1990, -С. 184.

3. Мамонтов А.П., Чернов И.И. Эффект малых доз ионизирующего излучения. –М.: Энергоатомиздат, 2001, -С.250.

4. Абдурахимов Д.Е., Вахидов Ф.Ш., Верещагин В.Л., Калинушкин В.П., Плоппа М.Г., Райзер М.Д.. Изменение свойств полупроводниковых материалов в результате воздействия СВЧ импульсов наносекундной и микросекундной длительности. // Микроэлектроника, 1991, том 20, вып.1, -С.21-25

5. Агеев О.А., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Миленин В.В., Пилипенко В.А. Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС. Харьков: НТК “Институт монокристаллов”, 2008, –С. 392.