Оптические исследования кремния легированного фосфидом галлия

Avtorlar

  • Н.Ф Зикриллаев

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • А.Б Камалов

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • Х.С Турекеев

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

Gilt sózler: silicon, gallium, phosphorus, diffusion, x-ray

Annotaciya

In the experiment, KDB-10 single-crystal silicon was used as the starting material. For diffusion, a powder obtained by grinding a gallium phosphide crystal was used as a diffusant. After diffusion, the conduction type was n-type. The appearance of new peaks in their optical properties can be explained by the fact that in silicon the gallium and phosphorus atoms form a binary unit cell.

Paydalanılǵan ádebiyatlar

1. Бахадирханов М.К., Зикриллаев Н.Ф., Исамов С.Б., Турекеев Х.С., Валиев С.А. Влияние наличия достаточно высокой концентрации фосфора на концентрационное распределение галлия в кремнии. Физика и техника полупроводников. Т.56. вып. 2, -С. 199-203, 2022.

2. Бахадирханов М.К., Исамов С.Б., Физические основы формирования гетероворизонной структуры на основе кремния. Журнал технической физики. Т. 91, № 11, -С. 1678. 2021.

3. Бахадирханов М.К., Исамов С.Б., Зикриллаев Н.Ф., Илиев Х.М., и др., Функциональные возможности кремния с нанокла- стерами атомов марганца. Электронная обработка материалов. Т. 2, -С.14. 2020.

4. Bakhadirkhanov M.K., Isamov S.B., Kenzhaev Z.T., New materials for photovoltaics and optoelectronics based on silicon with bi- nary nanoclusters of impurity atoms with controllable parameters. Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering. V.2,

5. Saidov A.S., Saparov D.V., Usmonov Sh.N., Kutlimratov A., Abdiev J.M., Kalanov M., Razzakov A.Sh. and Akhmedov A.M. Investigation of the Crystallographic Perfection and Photoluminescence Spectrum of the Epitaxial Films of (Si ) (GaP) (0≤x≤1) Solid 21-x x Solution, Grown on Si and GaP Substrates with the Crystallographic Orientation (111). Advances in Condensed Matter Physics. 2021.

6. Зайнабиддинов C.З., Саидов А.С, Бобоев А.Й., Усмонов Ж.Н. Особенности свойств поверхности полупроводникового твёрдого раствора (GaAs) (Ge) (ZnSe) с квантовыми точками ZnSe. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и 1-x-y 2 x y нейтронные исследования. №1. -С.107-112. 2021.

7. Cаидов А.C., Уcмонов Ш.Н., Каланов М.У., Куpмантаев А.Н., Бахтибаев А.Н. Cтpуктуpные и некотоpые электpофизи- чеcкие cвойcтва твеpдого pаcтвоpа Si Sn (0 ≤ x ≤ 0.04). Физика твердого тела. Т. 55, вып. 1, -С. 36-43. 2013. 1−x x

8. Ковба Л.М., Трунов В.К. Рентгенофазовый анализ. –Москва: 1976.

9. Зикриллаев Н.Ф., Исамов С.Б., Турекеев Х.С., Камалов А.Б., Акимова Ж.О. Кремнийга фосфор ва галлийнинг кетма-кет диффузияси натижасида галлий концентрациясининг ошиши. // «Фан ва жамият» НДПИ. №3. 21-23-б. 2021.