Оптические исследования кремния легированного фосфидом галлия

Авторы

  • Н.Ф Зикриллаев

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • А.Б Камалов

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • Х.С Турекеев

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

Ключевые слова: кремний, гaллий, фoсфoр, диффузия, рентгенограмма

Аннотация

В эксперименте в качестве исходного материала был использован монокристаллический кремний марки КДБ-10. Для диф- фузии в качестве диффузанта был использован порошок, полученный путём измельчания кристалла фосфида галлия. После диффузии тип проводимость был n-типа. Появление новых пиков в их оптических свойствах можно объяснить тем, что в крем- нии атомы галлия и фосфора образуют бинарную элементарную ячейку.

Библиографические ссылки

1. Бахадирханов М.К., Зикриллаев Н.Ф., Исамов С.Б., Турекеев Х.С., Валиев С.А. Влияние наличия достаточно высокой концентрации фосфора на концентрационное распределение галлия в кремнии. Физика и техника полупроводников. Т.56. вып. 2, -С. 199-203, 2022.

2. Бахадирханов М.К., Исамов С.Б., Физические основы формирования гетероворизонной структуры на основе кремния. Журнал технической физики. Т. 91, № 11, -С. 1678. 2021.

3. Бахадирханов М.К., Исамов С.Б., Зикриллаев Н.Ф., Илиев Х.М., и др., Функциональные возможности кремния с нанокла- стерами атомов марганца. Электронная обработка материалов. Т. 2, -С.14. 2020.

4. Bakhadirkhanov M.K., Isamov S.B., Kenzhaev Z.T., New materials for photovoltaics and optoelectronics based on silicon with bi- nary nanoclusters of impurity atoms with controllable parameters. Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering. V.2,

5. Saidov A.S., Saparov D.V., Usmonov Sh.N., Kutlimratov A., Abdiev J.M., Kalanov M., Razzakov A.Sh. and Akhmedov A.M. Investigation of the Crystallographic Perfection and Photoluminescence Spectrum of the Epitaxial Films of (Si ) (GaP) (0≤x≤1) Solid 21-x x Solution, Grown on Si and GaP Substrates with the Crystallographic Orientation (111). Advances in Condensed Matter Physics. 2021.

6. Зайнабиддинов C.З., Саидов А.С, Бобоев А.Й., Усмонов Ж.Н. Особенности свойств поверхности полупроводникового твёрдого раствора (GaAs) (Ge) (ZnSe) с квантовыми точками ZnSe. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и 1-x-y 2 x y нейтронные исследования. №1. -С.107-112. 2021.

7. Cаидов А.C., Уcмонов Ш.Н., Каланов М.У., Куpмантаев А.Н., Бахтибаев А.Н. Cтpуктуpные и некотоpые электpофизи- чеcкие cвойcтва твеpдого pаcтвоpа Si Sn (0 ≤ x ≤ 0.04). Физика твердого тела. Т. 55, вып. 1, -С. 36-43. 2013. 1−x x

8. Ковба Л.М., Трунов В.К. Рентгенофазовый анализ. –Москва: 1976.

9. Зикриллаев Н.Ф., Исамов С.Б., Турекеев Х.С., Камалов А.Б., Акимова Ж.О. Кремнийга фосфор ва галлийнинг кетма-кет диффузияси натижасида галлий концентрациясининг ошиши. // «Фан ва жамият» НДПИ. №3. 21-23-б. 2021.