ФОРМИРОВАНИЕ ПЛЕНОК ДИСИЛИЦИДА ТИТАНА В МОДИФИКАЦИИ С49 НА КРЕМНИИ, СТРУКТУРА, СВОЙСТВА

Authors

  • Д.Ж. Асанов

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • М.И. Маркевич

    Физико-технический институт НАН Беларуси, Минск, Беларусь

  • А.Б. Камалов

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Keywords: rapid heat treatment (RHT), IR range, C49 modification, titanium silicide, phase transition

Abstract

The most common methods for conducting solid-phase reactions for the formation of transition metal silicides are rapid heat treatment (RHT) using various energy sources. These methods are characterized by high productivity, manufacturability and reproducibility of results. The short process time minimizes the influence of the environment on the formation of silicides, and also minimizes the influence on the already formed elements of the active structure of the IMC. It has been established that with an increase in the treatment temperature of the heterosystem, the reflectivity of the modified surface increases. TRIKOTAJ MATOLARI NAQSHLARNI SHAKLLANTIRISH VA LOYIHALASHDA ZAMONAVIY TEXNIKA VA TEXNOLOGIYALARDAN FOYDALANISH A.Berdimbetova – katta o’qituvchi Ajiniyoz nomidagi Nukus davlat pedagogika instituti Tayanch soʻzlar: trikotaj, naqsh, bezak, mato, jakkard, press, futer, glad, lastik, ajur. Ключевые слова: вязание, узор, отделка, ткань, жаккард, пресс, футер, гладь, резинка, ажур.

References

1. Иевлев В.М. Формирование пленок силицидов металлов методами импульсной фотонной обработки /С.Б. Кущев//Вес. ВГТУ. Сер. Материаловедение. 1997. Вып.1.- С.8-12.

2. Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве/В.Е. Борисенко.- Минск: «Наука и техника», 1992. –С. 247.

3. Пилипенко В.А. Быстрые термообработки в технологии СБИС /В.А Пилипенко.- Минск: Изд. центр БГУ. 2004. –С. 531.

4. Иевлев В.М. Формирование пленок силицидов металлов методами импульсной фотонной обработки. /С.Б. Кущев //Вес. ВГТУ. Сер. Материаловедение. 1997. Вып.1.- С.8-12.

5. Chaplanov A.M.,,Karwat C, Kolos V.V., Markevich M.I., Stelmakh V.F. Effect of arsenium dose implanted in silicon substrate on titanium silicide growth during pulse photon processing // VIII-th confeference Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons//Kazimiers Dolny, Poland, 2010.- P. 122.

6. Markevich M.I., Malyshko A.N., Chaplanov A.M., Щербакова Е.Н. Formation of thin films of nitrides and silicides of transition metals for micro- and nanoelectronics //Proceedings of Science and Technological Seminar “Korea-Belarus” – Minsk: 25 oct. 2010.- P.19 .

7. Емельяненко Ю.С., Колос В.В., Маркевич М.И., Стельмах В.Ф., Чапланов А.М. Принципы формирования и свойства фоточувствительных структур на основе силицида переходных металлов // Наука – образованию, производству, экономике: материалы 9 Междунар. науч.-техн. конф., г. Минск, 15 апреля 2011г.: в 4 т. / под ред. Б.М. Хрусталева, Ф.А. Романюка, А.С. Калиниченко– Минск: БНТУ, 2011. - Т.3. – С.370.

8. Емельяненко Ю.С., Новосёлов А.М., Маркевич М.И. Об особенностях формирования фотоответа в структурах TiSi2-Si // Наука – образованию, производству, экономике: материалы 9 Междунар. науч.-техн. конф., г. Минск, 15 апреля 2011г: в 4 т. / под ред. Б.М. Хрусталева, Ф.А.Романюка, А.С. Калиниченко – Минск: БНТУ.- 2011. - Т.3. – С372.