СТАТИСТИКА РЕКОМБИНАЦИИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ПАРНЫМИ РЕКОМБИНАЦИОННЫМИ КОМПЛЕКСАМИ, АКТИВНОСТЬ КОТОРЫХ СНИЖАЕТСЯ В ПРОЦЕССЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ

Authors

  • А.Ю. Лейдерман

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • У.Х. Рахмонов

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • Физико-технический институт НПО «Физика

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • А.К. Утениязов

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • М.К. Уктамова

    НИИ Физики полупроводников и микроэлектроники НУУз.

  • М.Т. Нсанбаев

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Keywords: recombination, donor-acceptor pairs, decrease in recombination activity

Abstract

In the article recombination rate of non-equilibrium carriers is calculated for a semiconductor model with a pair recombination complex, the activity of which decreases during excitation. It is shown that the dependence of the electron capture coefficient on the first level on the filling of the second level leads to a decrease in the recombination rate even in the case of low inertia of the recombination processes, when the expression for the recombination rate is similar to the classical Shockley-Read dependence.

References

1. Лейдерман А.Ю., Минбаева М.К. (1996). Механизм быстрого роста прямого тока в полупроводниковых диодных структурах. ФТП, 1996, т. 30, №10, -С. 1729-1738.

2. Лейдерман А.Ю., Хашаев М.М. Особенности рекомбинации в полупроводниках AIIIBV. ДАН РУз, №3, -С. 22-24, 2012.

3. Leiderman A.Yu. Applied Solar Energy. 2008, vol. 44, №-2, P. 82-86.

4. Лейдерман А.Ю. Новые синергетические эффекты в полупроводниках. Материалы конференции НПО «Физика - Солнце» АН РУз. –Ташкент: 2016. -С. 152-161.

5. Lang D.W. Logan R.A. Phys. Review Letters, 1977, vol. 39, № -10, -Р. 635-638.

6. Гринь Е.Ф., Любченко А.В., Сальков Е.А., Шейнкман М.К. Об излучательной рекомбинации через донорно-акцепторные пары в CdS при низких температурах. ФТП, 1975, т. 9, № 2, -С. 303-310.