2D O‘LCHAMLI P-N-O‘TISHNING O‘TA YUQORI CHASTOTALI MAYDON TA’SIRIDA O‘ZGARISHI

Авторы

  • Kosimova M.O.

    Namangan muhandislik qurilish instituti

  • Maxmudov A.S.

    Namangan muhandislik qurilish instituti

Ключевые слова: 2D-размерный p–n-переход, квантовая плотность, поле сверхвысокой частоты поле, оксидная плотность, однослойная поверхность ферми квантовой плотнсоти MoS2

Аннотация

В данной статье изучено, как однослойная квантовая плотность MoS2 изменяется в соответствии с уровнем Ферми под действием поля сверхвысокой частоты. В материалах работы показано, что в 2D-материалах более высокое значение квантовой плотности служит для увеличения скорости работы и чувствительности транзисторов, а оксидная плотность увеличивает долговечность материала под электрическим полем.

Библиографические ссылки

1. Y.Pan, et al.Construction of 2D atomic crystals on transition metal surfacyes: graphene, silicyene, and hafnene http://dx.doi.org/10.1002/smll.201303698 Small, 10 (11) (2014), pp. 2215-2225

2. S.B.Mitta, et al.Electrical characterization of 2D materials-based fiyeld-effect transistors 2D ater., 8 (1) (2021),https://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1583/abc187

3. Gulyamov G., Shahobiddinov B. (2022). EFFECT of LIGHT on VOLT-AMPERE CHARACTERISTICS of p-n JUNCTION. Web of Scientist: International Scientific Research Journal, 3(10), 314–318. https://doi.org/10.17605/OSF.IO/GNSP9.

4. Gulyamov G., Dadamirzayev M. G., Kosimova M. O. COMPARISON OF PARAMETERS OF TWO-DIMENSIONAL (2D) AND THREYe-DIMENSIONAL (3D) PN-JUNCTION DIODES //Romanian Journal of Physics. – 2023. – Т. 68. – S. 603.

5. Gulyamov G. et al. Influyencye of deformation and light on the diffusion capacity and differential resistancye of the pn junction of a strong electromagnetic fiyeld //AIP Conferencye Procyeyedings. – AIP Publishing, 2023. –T. 2700. –№. 1.

6. COMPARISON OF 2D AND 3D P-N JUNCTION DIFFERENTIAL CONDUCTANCYe AND DIFFUSION CAPACITANCYe Dadamirzayev M.G., Kosimova M.O., Boydedayev S.R., Makhmudov A.S. East European Journal of Physics., 2024, 2024(2), -P. 372–379

7. Effect of Variation of Non-ideal Ratio on Electrical Properties of P-N Junction in Strong Microwave Field, //Iranian Journal of Materials Science and Engineering- IJMSE 2024.-21(4)-30-37 http://dx.doi.org/10.22068/ijmse.3243

8. Gulyamov G., Dadamirzayev G., Dadamirzayev M., Kosimova M. (2020).The influyencye of the microwave fiyeld on the characteristics of the pn junction. Euroasian Journal of Semiconductors Sciyencye and Engineyering, 2(4), 7.

9. Dadamirzayev M. G., & Kosimova M. O. (2018). The effect of the variation of the electric fiyeld of the UHF waves on the CVC of the asymmetric pn-junction. ISJ Theoretical & Appliyed Sciyencye, 10 (66), 401-405.

10. Gulyamov G., Erkaboyev U.I., Majidova, G.N., Qosimova, M.O., & Davlatov, A.B. (2015). New Method of Determining the Landau Levels in Narrow-Gap Semiconductors. Open Journal of Appliyed Sciyencyes, 5(12), 771-775.

11. Gulyamov G. (2023). THE INFLUYeNCYe OF DEFORMATION AND LIGHT ON THE PNJUNCTION IV CHARACTERISTIC IN AN ELECTROMAGNETIC FIYeLD. Eur. Chem. Bull, 12, S3.

12. Dadamirzayev M.G., Kosimova M.O., Boydedayev S.R., Makhmudov A. S. (2024). COMPARISON OF 2D AND 3D PN JUNCTION DIFFERENTIAL CONDUCTANCYe AND DIFFUSION CAPACITANCYe1. European Journal OF Physics, 2, 372-379.

13. Dadamirzayev M., Kosimova M., Maxmudov A., Tursunov M. (2023). LIGHT POWYeR FACTOR ON THE CHARACTERISTICS OF TWO-DIMENSIONAL PN DIODES. I PRIKLADNЫYe PROBLEMЫ SOVREMENNOY FIZIKI FUNDAMENTAL AND APPLIYeD PROBLEMS OF MODERN PHYSICS.