Влияние барических обработок на свойства структур Al - SiO –n-Si

Авторы

Ключевые слова: кремний, никель, микроэлектроника, релаксация, диод, фотопроводимость, дефектные структуры

Аннотация

В статье исследуется влияние всестороннего гидростатического сжатия на плотность электронных состоя- ний, локализованных на межфазной границе раздела Si-SiO .

Библиографические ссылки

1. Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. – Москва: Энергоатомиздат, 1988. –С. 256.

2. Чистов Ю.С., Сыноров В.Ф. Физика МДП-структур. –Воронеж: Издательство ВГУ, 1989. – С. 224.

3. Барабан А.П., Булавинов В.В, Конорв П.П. Электроника слоев SiO на кремнии. – Ленинград: ЛГУ. 1988, -С. 302.

4. Меньшикова Т.Г. и др. Влияние ионизирующего излучения на планарно-неоднородные МДП структуры. Электроника и информатика. Материалы международной научно-технической конференции. –Москва: 2005. ч.1, -С.139.

5. Левин М.Р., Татаринцев А.В., Иванков Ю.В. Моделирование воздействия ионизирующих излучений на МДП структуру. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2002, т. 4, № 3, -С.195-202.

6. Меньшикова Т.Г., Бормонтов А.Е., Ганжа В.В. Влияние флуктуаций встроенного заряда на электрофизиче- ские характеристики МДП структур. // Вестник ВГУ, Серия: Физика. Математика, 2005, № 1.

7. Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В. Проявление процесса денейтрализации подвижного заряда в SiO при спектроскопии границы раздела кремний-окисел. // ФТП, 1998. т. 32, в. 12. -С. 37-44.

8. Vlasov S.I., Ovsyannikov A.V., Ismailov B.K., Kuchkarov B.H. Effect of presure on the properties of Al-SiO -n- Si structures.- Semiconductor Physics, Quantum electronics and Optoelectronics. 2012. v. 5. № 2. p.166-169.

9. Власов С.И., Исмаилов Б.К., Кучкаров Б.Х. Влияние температуры оплавления стекла на параметры границы раздела Si–стекло. Материалы международной научно-технической конференции. Фундаментальные и приклад- ные проблемы физики. Часть 1. –Саранск: 28-30 мая 2012, -С.88-90.

10. Власов С.И., Овсянников А.В., Исмаилов Б.К., Кучкаров Б.Х. Влияние ультразвуковой обработки на ско- рость формирования заряда инверсионного слоя в структурах металл-стекло-полупроводник. Материалы между- народной научно-практической конференции Структурная релаксация в твердых телах. –Винница: 29-31 мая. 2012, -С. 234-236.

11. Власов С.И., Кучкаров Б.Х., Исмаилов Б.К. Влияние ультразвукового воздействия на свойства структур ме- талл-стекло-полупроводник. // Вестник НУУз. 2013, № 2. -С.16-18 .

12. Власов С.И., Эргашева М.А., Адылов Т.П. Влияние давления на свойства границы раздела Si - стекло. // Письма в ЖТФ. 2005, т. 31, в. 10, -С. 83-87.

13. Vlasov S.I., Saparov F.A., Ismailov K.A. “Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor. -Semiconductor Physics, Quantum electronics and Optoelectronics. 2010, v. 13. № 4. p. 363-365.

14. Зайнабидинов С.З., Власов С.И., Насиров А.А. Неравновесные процессы на границе раздела полупровод- ник-диэлектрик. –Ташкент: Университет. 1995. –С 112. г

15. Зайнабидинов С.З., Власов С.И., Каримов И.Н. Влияние никеля и - облучения на плотность поверхност- ных состояний. // ФТП, 1986. т. 20, в.7, -С.1348.