2D ўлчамли p-n-ўтиш фототоклари ва дифференциал ўтказувчанлиги

Авторы

  • Г Гулямов

    Наманган муҳандислик-қурилиш институти

  • М.Ғ Дадамирзаев

    Наманган муҳандислик-қурилиш институти

  • М.О Қосимова

    Наманган муҳандислик-қурилиш институти

Ключевые слова: p-n-переход, фототок, дифференциальная проводимость, вольт-амперная характеристика, свет

Аннотация

Теоретически исследована зависимость вольт-амперной характеристики p-n-перехода двумерной шкалы от длины волны света. Полученные результаты сравнивали с результатами эксперимента. Теоретически было показано, что двумерная дифференциальная проводимость p-n перехода больше, чем трехмерная дифференциальная проводимость p-n перехода

Библиографические ссылки

1. Buscema M., Joshua O. Island, Dirk J. Groenendijk, Sofya I. Blanter, Gary A. Steele, Herre S. J. van der Zant, Andres Cas- tellanos-Gomez. Photocurrent generation with two-dimensional van der Waals semiconductors. Chemical Society Reviews. Issue 11. 24.04.2015.

2. Buscema M., Groenendijk, D., Steele, G. et al. Photovoltaic effect in few-layer black phosphorus PN junctions defined by local electrostatic gating. Nat Commun 5, 4651 (2014). https://doi.org/10.1038/ncomms5651

3. Pospischil A., Furchi M., Mueller T. Solar-energy conversion and light emission in an atomic monolayer p–n diode. Nature Nano- tech 9, 257–261. 2014. https://doi.org/10.1038/nnano.2014.14

4. Baugher, B., Churchill, H., Yang, Y. et al. Optoelectronic devices based on electrically tunable p–n diodes in a monolayer dichal- cogenide. Nature Nanotech 9, 262–267 (2014). https://doi.org/10.1038/nnano.2014.25

5. Justin Boddison-Chouinard, Alex Bogan, Norman Fong, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Sergei Studenikin, Andrew Sachraj- da, Marek Korkusinski, Abdulmenaf Altintas, Maciej Bieniek, Pawel Hawrylak, Adina Luican-Mayer, Louis Gaudreau. Gate controlled quantum dots in monolayer WSe2. Mesoscale and Nanoscale Physics. 1 Aug 2021.

6. Ferney A. Chaves, a Pedro C. Feijoo and David Jiménez. The 2D PN Junction Driven Out-of-Equilibrium. Nanoscale Adv., 2020, DOI: 10.1039/D0NA00267D.

7. Jariwala D, Sangwan V K, Late D J, Johns J E, Dravid V P, Marks T J, Lauhon L J and Hersam M C 2013 Appl. Phys. Lett. 102 173107

8. B. W. H. Baugher, H. O. H. Churchill, Y. Yang and P. JarilloHerrero, Optoelectronic devices based on electrically tunable p-n di- odes in a monolayer dichalcogenide, Nat. Nanotechnol., 2014, 9, 262–267.

9. Gulyamov A.G., Usmanov M.A. "Еffect of deformation on photocurrences in p-n transitions," Scientific Bulletin of Namangan State University: 2021 Vol.2: Iss.2, Article Available at: https://uzjournals.edu.uz/namdu/vol2/iss2/1

10. G. Gulyamov, M.G. Dadamirzaev, M.O. Kosimova «Kучли элeктромагнит майдондаги p-n ўтиш дифференциал қаршилиги ва диффузион сиғимига дeформация ва ёруғликнинг таъсири» //Нам.ДУ илмий ахбороти, Наманган, 2021, №6, 23-29-б

11. Gulyamov G., Dadamirzaev M.G., Kosimova M., Gulomkodirov B. «The nonideality coefficient of IVC p-n-junction in a strong microwave field when illuminated by light» //Journal of Scientific and Engineering Research, 2019, 6(7):241-246

12. Шамирзаев С.Х., Дадамирзаев М.Г., Қосимова М.О. Бир жинсли бўлмаган яримўтказгичли структураларнинг ўта юқори частотали майдондаги вольт-ампер характеристикаси. // БухДУ илмий ахбороти.- Бухоро: 2018, №4, 6-10-б.

13. Gulyamov G., Dadamirzaev M.G., Kosimova M., Uktamova M. "Thermophotoemf of hot charge carriers at p-n-junctions under exposure to a microwave field and light," Scientific-technical journal: 2020, Vol. 24: Iss. 5, Article13. Available at: https://uzjournals.edu.uz/ferpi/vol24/iss5/13

14. Dadamirzayev M.G., Qosimova M.O. The effect of the variation of the elektric field of the uhf waves on the cvc of the asymmetric p-n-junction //Theoretical & Applied Science. –USA, 2018, 10.15863/TAS. 401-405.

15. Гулямов Г., Дадамирзаев М.Г., Қосимова М. «ЎЮЧ майдонда ёруғлик таъсиридаги p-n-ўтиш ВАХ ноидеаллик коэффициенти» // Наманган Давлат Университети илмий ахбороти. –Наманган: 2019, №10, 42-49-б.

16. Gulyamov G., Dadamirzaev G. Dadamirzaev M.G., Kosimova M. "The influence of the microwave field on the characteristics of the p-n junction," Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering: 2020, Vol. 2: Iss. 4, Article7. https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss4/7.

17. Gulyamov G., Dadamirzaev M.G., Kosimova M.O. «p-n ўтиш диффeрeнчиал ўтказувшанлиги ва диффузия сиғимига кучли элeктромагнит майдон ва дeформациянинг таъсири» //НамДУ илмий ахбороти. –Наманган: 2022, №1, 76-83-б.