Fotoelement volt-amper xarakteristikalariga elektromagnit to‗lqinning ta‘siri
Авторы
Ключевые слова: уровень квазиФерми, фотоэлектр движущая сила, сверх высокочастотное поле, рекомбинация, генера- ция
Аннотация
Библиографические ссылки
1. Хелмут Спиелер «Introduction to radiation detectors and Electronis», 30 – мар – 99. IX.
2. A semiconductor device primer – doping and diodes. 2. S. Zi «Physics of Semiconductor Devices» volume - 1. Page (91 - 100).
3. Bonch-Bruevich V.L., Kalashnikov S. G. «Physics of Semiconductors», –Moscow: Nauka, 1977
4. Azizov M.A. «Yarimo‘tkazgichlar fizikasi». –Toshkent: 1974. –Р. 208 - 210.
5. Tetsuo Soga Nanostructured Materials for Solar Energy Conversion © 2006 Elsevier B.V. All rights reserved. Chapter 1 Funda- mentals of Solar Cell p (8-20). 6. G Gulyamov, UI Erkaboev, N Yu Sharibaev, AG Gulyamov. EMF Induced in a p– n Junction under a Strong Microwave Field and Light. Semiconductors 2019 53 (3), 375- 378. https://doi.org/10.1134/S1063782619030060
7. Гулямов Г., Гулямов А.Г., Мажидова Г.Н. Влияние деформации на фототоки в p-n-переходах // «Альтернативная энерге- тика и экология».– Россия, г.Саров, 2016. №15-16. -C. 24–30. (01.00.00, №9)
8. Gulyamov G. and Gulyamov A. G. On the Tensosensitivity of a p–n Junction under Illumination // Semiconductors, 2015, Vol. 49, No. 6, pp. 819–822. (№11. Springer, IF:0.701). DOI:https://doi.org/10.1134/S1063782615060111 9.
9. Gulyamov G., Majidova G.N., Shaxobiddinov B.B., Muxitdinova F.R. «Kremniy yarimo`tkazgichli p-n o`tishli diodlarning Fermi kvazisatxi va volt-amper xarakteristikasining yorug`lik va deformasiya ta`sirida o`zgarishi», NamDU ilmiy axborotnomasi. 2020, № 8.
10. Gulyamov G., Gulyamov A., Shahobiddinov B., Majidova G. «Relation of quasi–level fermi of hot electrons and holes with the current–voltage characteristics of the p-n junction. Scientific Bulletin of Namangan State University 2 (4), 8-15.