GaSb asosidagi tunnel diodlari volt–amper xarakteristikasining deformatsiya ta‘sirida o‗zgarishi

Avtorlar

Gilt sózler: туннельный диод GaSb, модель Эсаки, деформация, вольт-амперная характеристика (ВАХ), эффективная масса

Annotaciya

В статье теоретически исследовано влияние механической деформации на вольт-амперную характеристику (ВАХ) туннельных диодов на основе GaSb. На основе модели Эсаки эффекты деформации были введены в выражение туннельного тока через редуцированную эффективную массу. Результаты моделирования показывают, что в отсутствии деформации ВАХ соответствует классической теории и существующим экспериментальным данным. Установлено различное влияние сжатия и растяжения, что демонстрирует возможность управления параметрами туннельных диодов посредством механических факторов. Такой подход открывает новые перспективы для наноэлектронных устройств.

Paydalanılǵan ádebiyatlar

1. Esaki L. New phenomenon in narrow germanium p–n junctions. // Phys. Rev., 1958.

2. Pitteliy J., Rindner M. Tunnel diode characteristics under strain. // J. Appl. Phys., 1967.

3. Hosseini et al. Effect of strain on GaSb-based tunnel diodes. // Semicond. Sci. Technol., 2019.

4. Wang J. et al. Uniaxial stress effects on tunneling devices. // IEEE Trans. Electron Devices, 2003.

5. Zhao W. PhD Dissertation. – University of Notre Dame, 2009.

6. Murphy-Armando F. et al. Strain effects on band-to-band tunneling in silicon. // Phys. Rev. B, 2010.

7. Dadamirzaev M. G., Kosimova M. O., Boydedayev S. R., Makhmudov A.S. Comparison of 2D and 3D pn Junction Differential Conductance and Diffusion Capacitance. // East European Journal of Physics, (2), 2024. – Р. 372-379.

8. Uktamova M.K., Nazarov Sh. Investigation of parameters characterizing a tunnel diode under the action of a superhigh-frequency (MW) field in the Tsu-Esaki model. // Web of scientist: International scientific research journal. 2022, vol.3, No.10. – P.800-806. (№23 SJIF, IF:5.95).

9. Gulyamov G., Dadamirzaev G., Dadamirzayev M., Kosimova M. The influence of the microwave field on the characteristics of the pn junction. // Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering, 2(4), 7. 2020.