ВЛИЯНИЕ ПРОТЯЖЕННЫХ ДЕФЕКТОВ НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК ZnTe/GaAs - Шарибаев, Мурат Борибаевич; Юсупов, Оралбай Наурызбаевич; Каландарова, Шахноза Кувондиковна (FAN va JAMIYAT, 2026)
Методом фотолюминесценций определены излучательные спектры глубоких уровней эпитаксиальных пленок ZnTe/(001) GaAs с различными толщинами выращенных методом МПЭ. По сдвигу энергии пиков ФЛ рассчитано изменение профиля ям в результате облучения. Обсуждается роль диффузии GaAs и внутренних напряжений в радиационно-стимулированной деградации квантово-размерных структур.