GaSb ASOSIDAGI TUNNEL DIODLARI VOLT–AMPER XARAKTERISTIKASINING DEFORMATSIYA TA‟SIRIDA O„ZGARIShI - Dadamirzayev, M.G.; Kosimova, M.O.; G‘aniyeva, A.K.; Xojiakbarova, N.A. (FAN va JAMIYAT, 2025)
Maqolada GaSb asosidagi tunnel diodlarning volt-amper xarakteristikasiga (VAX) mexanik deformatsiyaning ta’siri nazariy jihatdan o‘rganildi. Esaki modeliga asoslangan holda, deformatsiya effektlari tunnel toki ifodasiga reduksiyalangan effektiv massa orqali kiritildi. Modellash natijalaridan ko‘rinadiki, deformatsiyasiz holatda VAX klassik nazariya va mavjud tajribaviy ma’lumotlarga mos keladi. Siqilish va cho‘zilish deformatsiyalarining turlicha ta’siri aniqlanib, tunnel diodlarning parametrlari mexanik omillar orqali boshqarilishi mumkinligi ko‘rsatildi. Bu yondashuv nanoelektron qurilmalar uchun yangi imkoniyatlar yaratadi.
Keywords: GaSb tunnel diodi; Esaki modeli; deformatsiya; volt-amper xarakteristika (VAX); effektiv massa