ИЗМЕНЕНИЕ РЕЛАКСАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ ПОСЛЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ АТОМА ЭРБИЯ - Шарибаев, М.Б.; Каландарова, Ш.К. (FAN va JAMIYAT, 2025)
В статье приведены результаты выращивания эпитаксиальных слоев кремния, легированных эрбием, с использованием двух разных режимов роста: обычной молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и твердофазной эпитаксии (ТФЭ). Показано, что легированный эрбием слой кремния при его осаждении методом ТФЭ на холодную подложку и после отжига проявляется более интенсивную полоса фотолюминесценции на длине волны 1.54µm.