РАДИАЦИОННОЕ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В КРИСТАЛЛАХ KCl - Нуритдинов, И.; Муссаева, М.А.; Юлдашов, Д.П.; Аташов, Б.Т. (FAN va JAMIYAT, 2026)
В работе представлены результаты исследования процессов радиационного дефектообразования в кристаллах KCl, облучённых рентгеновским и гамма-излучением. Показано, что F-центры формируются с первых этапов облучения и достигают насыщения при дозах около 100 рад. При дозах Dγ ≥ 105 рад наблюдается появление полос поглощения, соответствующих I- и V-центрам, что свидетельствует о формировании новых структурных дефектов. Обсуждены механизмы их создания и стабилизации.