Статистика рекомбинации неравновес- ных носителей для полупроводников с парными рекомбинационными комплексами, активность которых снижается в процес- се возбуждения

Mualliflar

  • А.Ю Лейдерман

    Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз.

  • У.Х Рахмонов

    Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз.

  • А.К Утениязов

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • М.К Уктамова

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • М.Т Нсанбаев

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Kalit so‘zlar: рекомбинация, донорно-акцепторные пары, снижение рекомбинационной активности

Annotatsiya

В статье рассчитана скорость рекомбинации неравновесных носителей для модели полупроводника с парным рекомбинационным комплексом, активность которого снижается в процессе возбуждения. Показано, что зависимость коэффициента захвата электрона на первый уровень от заполнения второго уровня приводит к убыванию скорости рекомбинации даже в случае малой инерционности про- цессов рекомбинации, когда выражение для скорости рекомбинации сходно с классической зависимостью Шокли-Рида.

Foydalanilgan adabiyotlar

1. Лейдерман А.Ю., Минбаева М.К. (1996). Механизм быстрого роста прямого тока в полупроводниковых диодных структурах.

2. Лейдерман А.Ю., Хашаев М.М. Особенности рекомбинации в полупроводниках АIIIBV. ДАН РУз, №3, -С. 22-24, 2012.

3. Leiderman A.Yu. Applied Solаr Energy. 2008, vol. 44, №-2, P. 82-86.

4. Лейдерман А.Ю. Новые синергетические эффекты в полупроводниках. Материалы конференции НПО «Физика - Солнце» АН РУз. –Ташкент: 2016. -С. 152-161.

5. Lang D.W. Logan R.A. Phys. Review Letters, 1977, vol. 39, № -10, -Р. 635-638.

6. Гринь Е.Ф., Любченко А.В., Сальков Е.А., Шейнкман М.К. Об излучательной рекомбинации через донорно-акцепторные пары в CdS при низких температурах. ФТП, 1975, т. 9, № 2, -С. 303-310.