Termik ishlovning nodir yer elementlari bilan legirlangan kremniy elektrofizik xossalariga ta’siri

Mualliflar

  • Oralbay Naurizbaevich Yusupov

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Kalit so‘zlar: yarimo‘tkazgich, kremniy, n-Si, termik ta’sirlar effekti, elektrofizik xossalari, kremniyni o‘stirish jarayonida Sm, Gd va Yb bilan legirlash, kremniyga termik ishlov berish

Annotatsiya

Maqolada samariy, gadoliniy va itterbiy kabi nodir yer elementlari bilan legirlangan kremniy monokristallarida yuqori haroratli termik ishlov berish natijasida sodir bo‘ladigan elektrofizik jarayonlar, chuqur sathlarning shakllanishi va texnologik kirishmalar (kislorod va uglerod) bilan o‘zaro ta’sir mexanizmlari o‘rganilgan. Choxralskiy usulida o‘stirilgan hamda diffuziya yo‘li bilan legirlangan namunalarni neytron-aktivatsion tahlil, IQ- spektroskopiya, sig‘imning izotermik relaksatsiyasi va to‘rt zondli usullari yordamida o‘rganildi.

Foydalanilgan adabiyotlar

1. Милнс Л. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. – Москва: «Мир», 1977.

2. Бургуэн Ж. Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. – Москва: «Мир», 1984.

3. Соболев Н.А. Кремний, легированный эрбием - новый полупроводниковый материал для оптоэлектроники.  Москва: // Российский химический журнал, 2001, 5-6(XLV).  С. 95-101.

4. Шаховцов В.И., Шиндич В.Л. Особенности поведения в полях ядерной реакции кремния, легированного редкоземельными элементами. В. кн. Радиационное эффекты в твердых телах.  Киев: «Наукова думка», 1977.  С. 88-102.

5. Карпов Ю.А., Петров В.В., Просолович В.С. Фотопроводимость и электрические свойства Si, облученного γ-квантами 60Со.  Санкт-Петербург: // Физика и техника полупроводников, 1982, 9(16).  С.1676- 1678.

6. Назыров Д.Э., Регель А.Р., Куликов Г.С. Кремний, легированный редкоземельными элементами: Препринт ЛФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР №1122. – Л.: 1987.

7. Фистуль В.И. Атомы легирующих примесей в полупроводниках. – Москва: «Физматлит», 2004.

8. Libertino S. The effects of oxygen and defects on the deep-level properties of Er in crystalline Si. // J. Appl. Phys.

9. Wong E., Liu H., Man Sh.Q. et al. Erbium doping in silicon by thermal in diffusion. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998,

10. Назыров Д.Э. Геттерирование золота самарием и гадолинием в кремнии. // Электронная обработка

11. Назыров Д.Э., Базарбаев М.И., Иминов А.А. Диффузия иттрия в кремнии. // Физика и техника полупроводников. 2006, Т. 40, Вып. 7. – С. 788-789.

12. Назыров Д.Э. Диффузия иттербия в кремнии. // Физика и техника полупроводников. 2003, Т. 37, Вып. 9. – С. 1056-1057.

13. Назыров Д.Э., Куликов Г.С., Малкович Р.Ш. Диффузия эрбия и тулия в кремнии. // Физика и техника полупроводников, 1991, Т. 25, Вып. 9. – С. 788-789.

14. Зайнабидинов С., Назыров Д.Э. Диффузия, растворимость и электрические свойства скандия и празеодима в кремнии. // Изв. вузов. Физика, 2007, № 1. – С. 75-77.