Kirishma atomlarini kremniyga elektr maydon yordamida diffuziya qilish

Mualliflar

  • X.M Iliyev

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • S.B Isamov

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • Z.B Xudoynazarov

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • R.O» Xolmonov

  • B.O Isakov

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

Kalit so‘zlar: silicon, electrodiffusion, nickel, clusters, positive and negative polarity

Annotatsiya

Kremniyda elektrodiffuziya usuli bilan nikel kirishma atomlari klasterlarini hosil qilish orqali manfiy qutbga joylash- gan namunaga, kirishma atomlarini yuqori konsentratsiyada kirish hodisasi kuzatilgan. Kremniy namunasidan o‗tayotgan elektr may- donini boshqarish orqali, nikel klasterlari konsentratsiyasini boshqarish mumkinligi ko‗rsatilgan.

Foydalanilgan adabiyotlar

1. Бахадырханов М.К. Диссертационная работа на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. – Ленинград: 1982. –С. 479.

2. Зикриллаев Н.Ф., Кушиев Ғ.А., Абдурахманов Б.А., Қурбонова Ў.Х., Вахобов Қ.У. «GexSi1-x бирикмалари мавжуд крем- ний материали олишнинг истиқболлари». // журнал ДАН РУз, 2022. №5. –С. 21-26.

3. Захаров А.Г., Какурин Ю.Б., Филипенко Н.А. Моделирование процессов массопереноса в неоднородных твердых телах с учётом электродиффузии. // Естественные науки. 2009. № 2. -С. 35-37.

4. Варехов А.Г. Электродиффузия зондирующих ионов к поверхности частиц биоколлоидов. // Научное приборостроение.

5. Шалимова К.В. Физика полупроводников. –Москва: энергоатомиздат 1985.

6. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. -Ленинград: «Наука», 1972.