ИССЛЕДОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ТОКОВОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ СТРУКТУРЫ Al–Al2O3–p-CdTe–Mo

Mualliflar

Kalit so‘zlar: интегральная токовая чувствительность, фоточувствительность, инжекция, инжекционный фотоприемник, фототок, освещенность, напряжения смещения

Annotatsiya

В статье приведены результаты исследований интегральной токовой чувствительности структуры Al-Al2O3–p-CdTe-Mo при подаче больших напряжений смещения в прямом направлении тока. Показано, что исследуемая структура Al-Al2O3-p-CdTe-Mo в прямом направлении тока работает как инжекционный фотоприемник с внутреннем усилением, у которого быстродействие равно τ≈10-7-10-6c. Установлено, что интегральная токовая чувствительность достигает наибольшего значения Sint~1.4∙106 А/Вт при освещении белым светом с освещенностью E≈7.85∙10-7 лк и при V=7 B.

Foydalanilgan adabiyotlar

1. Mirsagatov Sh.A., Uteniyazov A.K. Injection photodiode based on p-CdTe film. Techn. Phys. Lett. 2012. 38, No 1. -P. 34–37. https://doi.org/10.1134/S1063785012010099.

2. Mirsagatov Sh.A., Uteniyazov A.K., Achilov A.S. Mechanism of Crrent Transport in Schottky Barrier Diodes Based on Coarse-Grained CdTe Films. Physics of the Solid State. 2012. 54, № 9. -P. 1643-1654.

3. Mirsagatov Sh.A., Kabulov R.R., Makhmudov M.A. Injection photodiode based on the n-CdS/p-CdTe heterostruc- ture. Physics of semiconductor devis. 2013. 47, № 6. -P. 815-820.

4. Mirsagatov Sh.A., Zaveryukhin B.N., Ataboev O.K., Zaveryukhina N.N. Cascade injection photodetector based on solid solutions of A2B6 compounds for the spectral range λ = 500-650 nm. Ukrainian physical journal. 2013. 58, № 5. -P. 465-472.

5. Mirsagatov Sh.A., Ataboev O.K., Zaveryukhin B.N., Nazarov Zh.T. Photoelectric properties of an injection photode- tector based on solid solutions of AIIBVI compounds. Physics of semiconductor devis. 2014. 48, No 3. P. 369-375.

6. Uteniyazov A.K., Ismailov K.A. The spectral distribution of photosensitivity Al-Al2O3-p-CdTe-Mo tours. Reports of the Academy of Sciences RUz. 2019. № 5. -P.27-31.

7. Uteniyazov A.K., Ismailov K.A. Effect of ultrasound irradiation on the electro-physical properties of the structure of Al–Al2O3–CdTe. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. vol. 22, no 2, -Р. 165 -170, 2019. https://doi.org/10.15407/spqeo22.02.165

8. Mirsagatov Sh.A., Muzafarova S.A., Baiyev M.S., Achilov A.S. ―Issledovaniye real'nogo stroyeniya dioda s bar'yerom Shottki Al-p-CdTe‖ [The study of real structures of a diode with a Schottky barrier Al-p-CdTe]. // Uzbek. physi- cal journal,no.12, -Р. 154-160, 2010 (of Uzbekistan).

9. Achilov A.S., Zaveryukhin B.N., Kalanov M.U., Rustamova V.M. ―Rentgenov-skiye issledovaniya struktury novogo tipa A2B6 priyemnika elektromagnitnogo izlucheniya‖[X-ray studies structures of a new type of A2B6 receiver of electromagneticradiation]. // Reports of the Academy of Sciences RUz., no. 2, -Р. 24-26, 2014.

10. Vikulin I.M., Kurmashev Sh.D., Stafeev V.I. ―Injection-Based Photodetectors‖, Semiconductors, vol.42, no. 1, -Р. 113-127, 2008.

11. Stafeyev V.I. ―Fotopriyemniki IK diapazona na osnove CdxHg1-xTe, na primesnykh poluprovodnikakh (Ge i Si) i UF diapazona na osnove soyedineniy A2B5‖ [IR photodetectorsbased on CdxHg1-xTe, based on impurity water reservoirs (Ge and Si) and the UZI range based on A2B5 compounds], 35 years of work at the Research Institute of Applied Physics (1970- 2005). Moscow. Orion, 2008.

12. Stafeyev V.I. ―Elektronnyye pribory na osnove poluizolyatorov‖ [Electronic devices based on semiinsulators], Technology and Design statement in electronic equipment, no. 5, -Р. 3-13, 2007.

13. Uteniyazov A.K., Ismailov K.A., Muratov A.S., Dauletmuratov B.K., Kamalov A.B. Amplification of photoelectric injection in the photodiode based on large-grain cadmium telluride films. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. vol. 25, no 2, -Р. 157 -163, 2022. https://doi.org/10.15407/spqeo22.02.157