ЗАВИСИМОСТЬ СОПРОТИВЛЕНИЕ РАСТЕКАНИЯ ОТ ДИАМЕТР МИКРОПЛАЗМЫ, ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНАЯ СОПРОТИВЛЕНОЕ РАСТЕКАНИЯ МИКРОПЛАЗМ И ЕГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ РЯДУ ТЕЙЛОРА И РЕШЕНИЯ СИСТЕМ ФУНКЦИИ МЕТОДОМ КОШИ

Mualliflar

Kalit so‘zlar: арсенид галлия (GaAs), микроплазма, дифференциальное сопротивление микроплазмы, сопротивление растекания, диаметр микроплазмы, концентрация свободных носителей заряда

Annotatsiya

Учитывая трехмерное распределение электрического поля движущихся носителей заряда, мы точно сформировали сопротивление растекания. Сопоставление теоретических и экспериментальных значений показало, что предложенная модель хорошо согласуется с точными параметрами микроплазмы, исследования проводились на основе метода характеризации микроплазмы. Предложенная в данной работе расчет область значение сопротивлений растекания позволяет уточнить уравнения для диаметра микроплазмы.

Foydalanilgan adabiyotlar

1. Конакова Р.В, Кордош П., Тхорик Ю.А., Файнберг Ф.И., Штофаник Ф. Прогнозирование надёжности полупроводниковых лавинных диодов. -Киев: «Наукова думка», 1986, -С.188.

2. Гафийчук В.В., Дацко Б.И., Кернер Б.С., Осипов В.В. Микроплазмы в идеально однородных p – i – n структурах. //ФТП. 1990. Т.24, в 4, -С. 724 – 730.

3. Банная В.Ф., Никитина Е.В. Электрический пробой в чистом n- и p- Si. //ФТП. 2018. Т. 52, в3, -С.291-294.

4. Грехов В.И., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой p-n перехода в полупроводниковых, - Л.: «Энергия», 1980. -С.152.

5. Гярулайтие Д.А., Намаюнас А.М., Тамашявичене З.Н., Тамашявичюс А.В. Влияние радиационных дефектов на вероятность включения искусственных микроплазм в кремнии. //ФТП.1990. Т 24, в 3, -С. 564-565.

6. Викулин И.М., Новыков Л.Н., Прохоров В.А. Влияние облучения нейтронами на характеристики микроплазменного пробоя. // ФТП.1983, Т17, в6, -С.1054 – 1059.

7. Коршунов Ф.П., Ластовский С.Б., Марченко И.Г. Характеристики электронно облученных p – n переходов в области лавинного пробоя. //ФТП. 1994. Т28, в3, -С.478-481.

8. Mejnture Thery of microplasma instability in Silicon, J. Appl. phys., 1961, v.32, №6, -P. 31-43.

9. Василевский К.В. Расчёт динамических характеристик лавинно – пролетного диода на карбиде кремния. // ФТП.1992. Т26, в10, -С. 1775-1782.

10. Шашкина А.С., Ханин С.Д. Имитационный подход к моделированию лавинного пробоя p – n перехода//ФТП.2019, Т53, в 6, -С.850-855.

11. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. -М.:, «Радио и связь» 1984, т.1, -С.455. Т.2, -С.455.

12. Файзуллаев В. А. Назарий физиканинг математик усуллари. –Тошкент: