ТЕНЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЯ С НАНОКЛАСТЕРАМИ АТОМОВ МАРГАНЦА

Mualliflar

  • Камалов А.Б.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • Жалелов М.А.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • Турсынбаев С.А.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

Kalit so‘zlar: полупроводник, давление, нанокластер, тензосвойства, марганец, диффузия

Annotatsiya

Установлено, что в отличии от обычных полупроводниковых материалов, в кремнии с нанокластерами атомов марганца наблюдается достаточно высокая тензочувствительность при комнатной температуре, которую трудно объяснить существующей теорией. Высокая тензочувствительность в полученном материале связана с изменением состояния нанокластеров атомов марганца при наличии давления. Эти данные показывают, что кремний с нанокластерами атомов марганца может служить перспективным материалом для создания нового класса тензодатчиков. Управляя концентрацией и зарядовым состоянием нанокластеров атомов марганца можно изменять тензочувствительность полученного материала.

Foydalanilgan adabiyotlar

1. Проценко И.Г, Брусенцов Ю.А. Определение механических деформаций и напряжений полупроводниковыми тензочувствительными элементами. // Вопросы современной науки и практики. Университет им. В.И. Вернадского. Россия, 2014. № 1 (50). -С. 272-280.

2. Турсынбаев С.А. Влияние температуры на тензоэлектрические свойства кремния с нанокластерами атомов марганца. Наноструктурные полупроводниковые материалы в фотоэнергетике. II Международная научная конференция. 19-20 ноября 2021. -С. 195-198.

3. Турсынбаев С.А. Нанокластерли кремнийнинг доимий босим ва ўзгарувчан электр майдони таъсирида тензоэлектрик хусусиятлари. “Яримўтказгичлар физикаси, микро- ва наноэлектрониканинг фундаментал ва амалий муаммолари” I-Халхаро анжуман. –Ташкент: 2021, 28-29-октябрь. -С. 150.

4. Isamov S.B., Tursinbaev S.A., Isakov B.O., Movlonov N.T., Bozorov F.R. Nanoklasterli yarim o’tkazgichlarga bosimning ta’sirini o’rganuvchi qurilma yaratish. Ферганский государственный университет. Международная научная конференция. “Тенденции развития физики конденсированных сред”. –Фергана: 25 май, 2021, -С.32-35.

5. Турсынбаев С.А. Тензотермические свойства кремния с нанокластерами атомов марганца. Материалы международной конференции «Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниковых микро- и наноструктурах». –Фергана: 2020, -С. 204-206..

6. Турсынбаев С.А. Тензочувствительность кремния с нанокластерами атомов марганца. Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова, Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники, “Наноструктурные полупроводниковые материалы в фотоэнергетике” сборник докладов международной научной конференции, 2020-йил 9-10-октябрь, -С.176-179.

7. Турсынбаев С.А., Камалов А.Б., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Кушиев Г.А. Тензосвойства кремния с нанокластерами // Физика полупроводников и микроэлектронике. 2019, том 1, выпуск 4. DOI 10.37681 / 2181 – 9947, 2019. 4.

8. Илиев Х.М., Камалов А.Б., Турсынбаев С.А. Кремний с нанокластерами атомов марганца – новый материал для тензодатчиков. // Наука и общество. 2020, №4 -С.7-9

9. Kamalov A.B., Tursinbaev S.A., Iliyev Kh.M., Shoabdurakhimova M.M. Influence of lighting on tenso-sensitivity of silicon doped with manganese. Scientific-technical journal. 2020. V.3, №5. -P. 45-47

10. Muratov A.S., Kamalov А.B., Tursinbaev S.A. Installations for studying the strain properties of silicon with nanoclusters of impurity atoms. // Science and Education in Karakalpakstan. 2021. №2 (17). С. 4-7.