ОПТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ КРЕМНИЯ ЛЕГИРОВАННОГО ФОСФИДОМ ГАЛЛИЯ

Mualliflar

  • Зикриллаев Н.Ф.

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • Камалов А.Б.

    Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz image/svg+xml

  • Турекеев Х.С.

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

Kalit so‘zlar: кремний, галлий, фосфор, диффузия, рентгенограмма

Annotatsiya

В эксперименте в качестве исходного материала был использован монокристаллический кремний марки КДБ-10. Для диффузии в качестве диффузанта был использован порошок, полученный путём измельчания кристалла фосфида галлия. После диффузии тип проводимость был n-типа. Появление новых пиков в их оптических свойствах можно объяснить тем, что в кремнии атомы галлия и фосфора образуют бинарную элементарную ячейку.

Foydalanilgan adabiyotlar

1. Бахадирханов М.К., Зикриллаев Н.Ф., Исамов С.Б., Турекеев Х.С., Валиев С.А. Влияние наличия достаточно высокой концентрации фосфора на концентрационное распределение галлия в кремнии. Физика и техника полупроводников. Т.56. вып. 2, -С. 199-203, 2022.

2. Бахадирханов М.К., Исамов С.Б., Физические основы формирования гетероворизонной структуры на основе кремния. Журнал технической физики. Т. 91, № 11, -С. 1678. 2021.

3. Бахадирханов М.К., Исамов С.Б., Зикриллаев Н.Ф., Илиев Х.М., и др., Функциональные возможности кремния с нанокла- стерами атомов марганца. Электронная обработка материалов. Т. 2, -С.14. 2020.

4. Bakhadirkhanov M.K., Isamov S.B., Kenzhaev Z.T., New materials for photovoltaics and optoelectronics based on silicon with bi- nary nanoclusters of impurity atoms with controllable parameters. Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering. V.2, №5, -Р.9, 2020.

5. Saidov A.S., Saparov D.V., Usmonov Sh.N., Kutlimratov A., Abdiev J.M., Kalanov M., Razzakov A.Sh. and Akhmedov A.M. Investigation of the Crystallographic Perfection and Photoluminescence Spectrum of the Epitaxial Films of (Si2)1-x(GaP)x (0≤x≤1) Solid Solution, Grown on Si and GaP Substrates with the Crystallographic Orientation (111). Advances in Condensed Matter Physics. 2021.

6. Зайнабиддинов C.З., Саидов А.С, Бобоев А.Й., Усмонов Ж.Н. Особенности свойств поверхности полупроводникового твѐрдого раствора (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y с квантовыми точками ZnSe. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. №1. -С.107-112. 2021.

7. Cаидов А.C., Уcмонов Ш.Н., Каланов М.У., Куpмантаев А.Н., Бахтибаев А.Н. Cтpуктуpные и некотоpые электpофизи- чеcкие cвойcтва твеpдого pаcтвоpа Si1−xSnx (0 ≤ x ≤ 0.04). Физика твердого тела. Т. 55, вып. 1, -С. 36-43. 2013.

8. Ковба Л.М., Трунов В.К. Рентгенофазовый анализ. –Москва: 1976.

9. Зикриллаев Н.Ф., Исамов С.Б., Турекеев Х.С., Камалов А.Б., Акимова Ж.О. Кремнийга фосфор ва галлийнинг кетма-кет диффузияси натижасида галлий концентрациясининг ошиши. // «Фан ва жамият» НДПИ. №3. 21-23-б. 2021.