ДИФФУЗИОН ТЕХНОЛОГИЯ БИЛАН GexSi1-x АСОСИДА ГЕТЕРО ВА ВАРИЗОН СТРУКТУРА ҲОСИЛ ҚИЛИШ ВА УНИНГ ОПТИК ХУСУСИЯТЛАРИНИ ЎРГАНИШ

Mualliflar

  • Зикриллаев Н.Ф.

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • Кушиев Ғ.А.

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • Турсунов О.Б.

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

  • Ҳамроқулов Ш.И.

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

Kalit so‘zlar: гетеро ва воризон тузилмалари, диффузия, ҳарорат, датчик, фотоэлемент

Annotatsiya

GexSi1−x гетеро ва варизон структура асосида қуёш элементлари ривожланиши ва яратилиши ҳам жуда қизиқ. GexSi1−x асосидаги бундай конструкцияларни маълум параметрлар ва конструкциялар асосида ишлаб чиқариш сезгирликнинг спектрал минтақасини сезиларли даражада кенгайтиришга имкон беради ва янги турдаги фотодетекторлар, датчиклар ва фотоэлементларни яратишга имкон беради.

Foydalanilgan adabiyotlar

1. Hu W. et al. Nature Materials 13, 705 2014.

2. Mitrano M. et al.. Nature 530, 461 2016.

3. Kornilovitch P. Int.J.Mod.Phys. B 30, 1650105 2016.

4. Grifoni M. and Hänggi P. Physics Reports 304, 299. 1998.

5. Alexandrov A.S. and Yavidov B. Ya. Phys. Rev. B 69, 073101. 2004.

6. B.Ya.Yavidov et al.. Physica B 407, 2490. 2012.

7. F.Großmann et al.. Z.Phys. B – Condensed Matter 84, 315. 1991.

8. H.J.Korsch and M.Glück. Eur.J.Phys. 23, 413. 2002.