THE INFLUENCE OF MICROWAVE RADIATION TO THE ELECTROPHYSICAL CHARACTERISTICS OF AU-TIB X –GAAS DIODE STRUCTURE - Kaypnazarov, S.G. (SCIENCE and SOCIETY, 2017)
Au-TiBx-GaAs диодли структурасига 0-20 с вақт оралиғида микро тўлқин нурлантириши билан таъсир этиш вактидаги структуранинг параметрларининг яхшиланганлиги aниқланди. Микро тўлқин таъсири натижасида ушбу диодли структуранинг температурага чидамлилик соҳалари кўрсатилди. Ушбу ташқи таъсирлардан кейинги юзанинг эгрилик радиуси ўзгариши aниқланди.
Keywords: диодли структура; электрофизик ҳарактеристика; микро тўлқин нурланиши; деградация механизми; ички механик кучланиш (ИМК); ЖЙЧ нурлантириш; Шоттки диодлари; эгрилик радиуси; планар технология; кенгайтириш параметри