ZnTe/GaAs ЭПИТАКСИАЛ ПЛЁНКАЛАРИДА ЧЎЗИЛГАН НУҚСОНЛАРНИНГ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТ ХУСУСИЯТЛАРГА ТАЪСИРИ

Mualliflar

  • Шарибаев Мурат Борибаевич

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • Юсупов Оралбай Наурызбаевич

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • Каландарова Шахноза Қувондиковна

    AJINIYOZ NOMIDAGI NUKUS DAVLAT PEDAGOGIKA INSTITUTI image/svg+xml

Калит сўзлар: эпитаксиал плёнкалар, моноқатламалар, кристалл панжара, фотолюменция, фотоўйғотиш

Аннотация

МПЭ томонидан ўстирилган турли қалинликдаги ZnTe/ (001) GaAs эпитаксиал пленкаларининг чуқур даражадаги эмиссия спектрлари fotoluminesans ёрдамида аниқланди. Нурланиш натижасида қудуқ профилининг ўзгариши PL тепалик энергиясининг силжишидан ҳисобланган. Квант-қудуқ тузимлаларининг радиациявий деградациясида GaAs диффузияси ва ички кучланишларнинг роли муҳокама қилинади.

Фойдаланилган адабиётлар

1. Petruzzello J., Olego D.J., Chu X., Faurie J.P. Transmission electron microscopy of (001)ZnTe on (001)GaAs, grown by molecular beam epitaxy, J. Appl. Phys., v. 63, №5, 1988. – P.1783-1785.

2. Guha S., DePuydt J.M., Haase M.A., Qiu J., Cheng H. Degradation of II-VI based blue-green emitters. // Appl. Phys. Lett., Vol. 63, №23, 1993. – P. 3107-3109.

3. Тарбаев Н.И., Шепельский Г.А. Одномерные структуры, образованные низкотемпературным скольжением дислокаций - источники дислокационного поглощения и излучения в полупроводниковых кристаллах AIIBVI”. // ФТП, Т. 32, №6, 1998. – С. 646-653.

4. Негрий В.Д. Пьезоспектроскопия излучения винтовых дислокаций. // ФТТ, Т. 34, №8, 1992. – С. 2462-2471.

5. Kumazaki K., Iida F., Ohno K., Hatano K., Imai K. Lattice strain near interface of MBE-grown ZnTe on GaAs, J.Cryst. Growth, vol.117, 2009. – P. 285-289.