ТЕЗКОР ТЕРМИК ИШЛОВ БЕРИШ ЖАРАЁНИДА КРЕМНИЙ ГЕТЕРОТУЗИЛМАЛАРИДА ИССИҚЛИК ЖАРАЁНЛАРИНИ МОДЕЛЛАШТИРИШ ВА ТАҲЛИЛ ҚИЛИШ

Mualliflar

  • Асанов Д.Ж.

    AJINIYOZ NOMIDAGI NUKUS DAVLAT PEDAGOGIKA INSTITUTI image/svg+xml

Калит сўзлар: кремний гетероструктуралари, тезкор иссиқлик билан ишлов бериш, импульсли фотон ишлови, иссислиқ баланси, никел цилиндирлари, моделлаштириш

Аннотация

Мақолада Ni (5 at. % Pt)/Si кремний гетеротузималарида импусли фотонли ишлов бериш жараёнида юз берадиган иссиқлик жараёнлари моделлаштирилган ва тажрибавий ўрганилган. Адиабатик, иссиқлик оқими ва иссиқлиқ мувозанати режимлари таҳлил қилинади. 255 J/sm2 энергия зичлиги ва 1,8 s давомийликда иссиқлик мувозанати режими ҳосил бўлиши, бу эса Ni2Si фазасининг шаклланишига олиб келиши аниқланган. Ni қатламининг Pt билан легирланиши структуранинг термобарқарорлигини ошириши ва субстрат деформациясини камайтиришини кўрсатилди.

Фойдаланилган адабиётлар

1. Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве. – Минск: «Наука и техника», 1992.

2. Вейко В.П., Метев С.М. Лазерные технологии в микроэлектронике. – София: «БАН», 1991.

3. Пилипенко В.А. Быстрые термообработки в технологии СБИС. – Минск: Издательский центр БГУ, 2004.

4. Кулагин Н.А. Теплофизика тонких плёнок и микроэлектронных структур. – Москва: «Радио и связь», 1998.

5. Voutsas A. T. et al. Modeling of rapid thermal processes in Si-based systems. // J. Appl. Phys. 85(10), 1999, – P. 7441-7448.

6. Soref R., Liu S. Silicon photonics and thermal effects in microelectronics. // IEEE Trans. Electron Devices, 2007, 54(6), – P. 1201-1210.

7. Маркевич М.И., Камалов А.Б., Асанов Д.Ж., Нажепова С.Р. Исследование элементного состава и фазовых превращений в системе Ni-V-Pt при стационарном отжиге. // Science and World, 2023, № 6(118), – С. 8-10.

8. Асанов Д.Ж., Маркевич М.И., Щербакова Е.Н. Импульсная фотонная обработка тонкоплёночных систем Si/Mg/Si/ситалл. Материалы XVI МНТК молодых учёных и студентов. БНТУ, – Минск: 2023, – С. 128-129.