ВЛИЯНИЕ ОДНООСНОГО УПРУГОГО СЖАТИЯ НА УСЛОВИЯ ВОЗБУЖДЕНИЯ И ПАРАМЕТРЫ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ВОЛН В КОМПЕНСИРОВАННОМ КРЕМНИИ

Mualliflar

  • Зикриллаев Н.Ф.

    Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti image/svg+xml

  • Сатторов А.А.

    Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti image/svg+xml

  • Норкулов Н.

    Oʻzbekiston Milliy Universiteti image/svg+xml

  • Абдуллаева Н.У.

    Ташкентская медицинская Академия

  • Ибрагимова Б.С.

    Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti image/svg+xml

Калит сўзлар: кремний, диффузия, марганец, амплитуда, частота, бир ўқли босим, барик коэффициент, электрон, ковак

Аннотация

Тажрибалар учун марганец киришма атомлари диффузия усули билан киритилган р-тур ўтказувчанликдаги ˂111˃ ва ˂110˃ кристаллографик ўқ асосида ўстирилган кремний намуналари танлаб олинди. Тажриба натижаларининг таҳлили асосида бир ўқли босим рекомбинацион тўлқинларнинг амплитудаси ва частотасига кучли таъсир қилиши аниқланди. Бир ўқли босим таъсирида автотебраниш параметрларини ўзгаришини тушунтириш ва физик механизмини яратишда компенсацияланган кремнийдаги марганец киришма атомларининг заряд ҳолатига боғлиқ бир жинсли бўлмаган яримўтказгич материалларнинг сатҳлар диаграммасидан фойдаланилди.

Фойдаланилган адабиётлар

1. Zikrillaev N.F., Ayupov K.S., Shoabdurakhimova M.M., Urakova F.E., Abduganiev Y.A., Sattorov A.A., Karieva L.S. Effect of compensation degree and concentration of impurity electroactive selenium atoms on current auto-oscillation parameters in silicon. East European Journal of Physics. 2023.

2. Bakhadyrkhanov M.K., Azimkhuzhaev Kh., Zikrillaev N.F., Sabdullaev A.B., and Arzikulov É. Semiconductors, 34(2), 171 2000. https://doi.org/10.1134/1.1187929

3. Балкарей Ю.И., Голик Л.Л., Елинсон М.И. Автоволновые среды. Использование в электронике. // “Радиоэлектроника и связь”. 1983. Знание. -C. 64.

4. Минин И.В., Минин О.В. Генератор электромагнитных колебаний. RU 2747116 C1. 2021.

5. Бахадирханов М.К., Турсунов А.А., Зикриллаев Н.Ф., Аскаров Ш.И., Бугаева А.Ф. Твердотельный генератор инфранизких частот. Авторское свидетельство № 1342347. 1,06, 1987.

6. Бондарь В.М., Сидоренко Э.А., Яковлев В.А. Термометр на основе осциллистронного эффекта. // ПТЭ. 1982. В. 2. -С. 229-230.

7. Мелких А.В., Рыбаков Ф.Н., Повзнер А.А. Распределенная модель организации автоколебаний в полупроводнике вызванных Джоулевым саморазогревом. // Письма в ЖТФ. 2005 г. Т. 31. В. 16. -С. 67.

8. Коломоец В.В., Сусь В.А. Установка для исследования электрофизических свойств полупроводниковых материалов в условиях низкотемпературной пластической деформации. // Приборы и техника эксперимента. 1975. № 4. -С. 214-215.

9. Александрова Г.А., Завадский Ю.И., Корнилов Б.В. Неустойчивости тока в эпитаксиальных слоях GaAs, компенсированных несколькими примесями с глубокими уровнями энергии. // Физика и техника полупроводников. 1975. Т. 9. В. 4. -С. 747.

10. Holonyak N., Bevacqua S.F. Oscillation in semiconductors due to deep levels. Applied Physics Letters, 1963, Volume 2, № 4, -Р. 71-73. https://doi.org/10.1063/1.1753780

11. Юнусов М.С., Ахмадалиев А., Оксенгендлер Б.Л., Бегматов К.А. О некоторых закономерностях электронного спектра примесных центров d-элементов в кремнии. // ФТП. 1995 г. Т. 29. В. 4. -С. 714-717.