ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЯ С БИНАРНЫМИ СОЕДИНЕНИЯМИ АТОМОВ ФОСФОРА И ГАЛЛИЯ

Mualliflar

  • Зикриллаев Н.Ф.

    Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti image/svg+xml

  • Исамов С.Б.

    Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti image/svg+xml

  • Курбанова У.Х.

    Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti image/svg+xml

  • Уракова Ф.Э.

    Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti image/svg+xml

  • Сатторов А.А.

    Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti image/svg+xml

Калит сўзлар: кремний, бирикмалар, диффузия, технология, галлий, фосфор, фотоэлемент

Аннотация

Фосфор ва галлий атомларининг бинар бирикмалари мавжуд кремнийнинг фотоэлектрик ва оптик хусусиятларини ўрганиш асосида уларнинг фотоэлектрик ва оптик параметрлари бошланғич кремнийникидан катта фарқ қилиши аниқланди. Олинган кремний намуналарининг фотоэлектрик ва оптик хусусиятларини ўрганиш асосида кремнийда фосфор ва галлий киришма атомлари бирикиб янги бинар элементар ячейкалар ва нанокластерларни ҳосил қилиши аниқланди. Кремнийда шаклланиб бўлган бинар бирикмалар янги нанообъект сифатида кичик ўлчамдаги квантланиш ходисасини кузатиш мумкин экан.

Фойдаланилган адабиётлар

1. Георгиця Е. и др. Структура примесного центра Mn в антимониде галлия// ФТП. 1992. Т.26. Вып.1. -С.89-91.

2. Куликов Г.С. Влияние Mn на диффузионные распределения Ni в Si//ФТП.1995. Т. 3.-С.469.

3. Таскин А.А., Тишковский Е.Г. Образование квазимолекул Se2 в кремнии, легированном селеном //ФТП.1998. Т.32. № 11. -С. 1306-1312.

4. Bakhdyrhanov M.K., Ismaylov B.K., Tachilin S.A., Ismaylov K.A., Zikrillayev N.F. Influence of Electrically Neutral Atoms on Electrical and Recombintion Parameters of Silicon. // Semiconductor Physics. Quantum Electronics Optoelectronics. 2020. Vol.23. Issue 4.-Р. 361-365.

5. Суздалев И.П. Физика-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. // Нанотехнология. -М.: 2009. -С. 589.

6. Kang J., Park J.S., Stradins P., Wei S.H. Non-isovalent Si-III-V and Si-II-VI alloys: Covalent, ionic and their mixed phases. // Physical Review B. 2017. Vol. 96, Issue 4. -Р. 1-20.

7. Уваров А.В., Баранов А.И., Вячеславова Е.А., Каложный Н.А., Кудряшов Д.А., Максимова А.А., Морозов И.А., Минтаиров С.А., Салий Р.А., Гудовских А.С. Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения. // Письма в ЖТФ. 2021. Том 47. Вып. 14. -С. 51-54.

8. Лунин Л.С., Лунина М.Л., Девицкий О.В., Сысоев И.А. Импульсное лазерное напыление тонких пленок AlxGa1-xAs и GaP на подложках Si для фотопреобразователей. // Физика и техника полупроводников. 2017. том 51. вып.3. -С. 403-408.

9. Соболев М.С., Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Гудовских А.С., Егоров А.Ю. Молекулярно – пучковая эпитаксия GaP на подложке Si. // Физика и техника полупроводников. 2015. Том. 49. Вып. 4. -C. 569-572.

10. Гусев А.И. Наноматериалы наноструктуры нанотехнологии. –Москва: Физматлит. 2007

11. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. –Ленинград: «Наука», 1972. -C. 384.

12. Бахадырханов М.К., Кенжаев З.Т., Ковешников С.В., Усмонов А.А., Мавлонов Г.Х.. Образование комплексов примесных атомов фосфора и бора в кремнии. // Неоргонические материалы. 2022. Том. 58. Вып.1. -С. 3–9.

13. Бахадирханов М.К.,. Абдурахманов Б.А, Зикриллаев Х.Ф. О состоянии германия в кремнии в условиях низкотемпературной диффузии. // Приборы. 2018. Том. 215. Вып.5. -C. 39-43.

14. Зикриллаев Н.Ф., Исамов С.Б., Турекеев Х.С., Камалов А.Б., Акимова Ж.О. Кремнийга фосфор ва галлийнинг кетма-кет диффузияси натижасида галлий концентрациясининг ошиши. // Ilim hám jámiyet. 2021. №3. -С. 21-23.

15. Zikrillaev N.F., Koveshnikov S.V., Turekeev Kh.S., Norqulov¶N., Tachilin S.A. Diffusion of Phosphorus and Gallium from a Deposited Layer of Gallium Phosphide into Silicon. // Physics of the Solid State. 2022. Vol. 64. No. 11.-Р. 587-594.

16. Zikrillaev N.F., Isamov S.B., Koveshnikov S.V., Kenzhaev Z.T., Turekeev Kh.S. Codiffusion of Gallium and Phosphorus Atoms in Silicon. //Surface Engineering and Applied Electrochemistry. 2023. Vol. 59. No. 2. -Р. 210–215.

17. Зикриллаев Н.Ф., Турекеев Х.С. Состав кремния одновременно легированного примесными атомами галлия и фосфора. // Илм сарчашмалари. 2022. № 9. -С. 180-183.

18. Штольц А.К., Медведев А.И., Курбатов Л.В. Рентгеновский фазовый анализ. // Методические указания. 2005. Е. -С. 24.

19. Лазаренко А.А. Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP (As, N) на подложках Si и GaP. // Кандидатская диссертация. -Санкт-Петербург: 2020. -С. 115.