ЗАВИСИМОСТЬ СОПРОТИВЛЕНИЕ РАСТЕКАНИЯ ОТ ДИАМЕТР МИКРОПЛАЗМЫ, ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНАЯ СОПРОТИВЛЕНОЕ РАСТЕКАНИЯ МИКРОПЛАЗМ И ЕГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ РЯДУ ТЕЙЛОРА И РЕШЕНИЯ СИСТЕМ ФУНКЦИИ МЕТОДОМ КОШИ

Mualliflar

Калит сўзлар: арсенид галлия (GaAs), микроплазма, микроплазманинг дифференциал қаршилиги, тарқалиш қаршилиги, микроплазма диаметри, эркин заряд тасушчилар концентрацияси

Аннотация

Ҳаракатланувчи заряд ташувчиларнинг электр майдонининг уч ўлчовли тақсимланишини ҳисобга олган ҳолда, биз тарқалиш қаршилигини аниқ шакллантирдик. Назарий ва экспериментал қийматларни таққослаш таклиф қилинган моделнинг микроплазманинг аниқ параметрларига яхши мос келишини кўрсатди. тадқиқотлар микроплазма характеристикаси усули асосида амалга оширилди. Ушбу мақолада таклиф қилинган тарқалиш қаршилиги диапазонини ҳисоблаш микроплазма диаметри учун тенгламаларни аниқлаштиришга имкон беради.

Фойдаланилган адабиётлар

1. Конакова Р.В, Кордош П., Тхорик Ю.А., Файнберг Ф.И., Штофаник Ф. Прогнозирование надёжности полупроводниковых лавинных диодов. -Киев: «Наукова думка», 1986, -С.188.

2. Гафийчук В.В., Дацко Б.И., Кернер Б.С., Осипов В.В. Микроплазмы в идеально однородных p – i – n структурах. //ФТП. 1990. Т.24, в 4, -С. 724 – 730.

3. Банная В.Ф., Никитина Е.В. Электрический пробой в чистом n- и p- Si. //ФТП. 2018. Т. 52, в3, -С.291-294.

4. Грехов В.И., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой p-n перехода в полупроводниковых, - Л.: «Энергия», 1980. -С.152.

5. Гярулайтие Д.А., Намаюнас А.М., Тамашявичене З.Н., Тамашявичюс А.В. Влияние радиационных дефектов на вероятность включения искусственных микроплазм в кремнии. //ФТП.1990. Т 24, в 3, -С. 564-565.

6. Викулин И.М., Новыков Л.Н., Прохоров В.А. Влияние облучения нейтронами на характеристики микроплазменного пробоя. // ФТП.1983, Т17, в6, -С.1054 – 1059.

7. Коршунов Ф.П., Ластовский С.Б., Марченко И.Г. Характеристики электронно облученных p – n переходов в области лавинного пробоя. //ФТП. 1994. Т28, в3, -С.478-481.

8. Mejnture Thery of microplasma instability in Silicon, J. Appl. phys., 1961, v.32, №6, -P. 31-43.

9. Василевский К.В. Расчёт динамических характеристик лавинно – пролетного диода на карбиде кремния. // ФТП.1992. Т26, в10, -С. 1775-1782.

10. Шашкина А.С., Ханин С.Д. Имитационный подход к моделированию лавинного пробоя p – n перехода//ФТП.2019, Т53, в 6, -С.850-855.

11. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. -М.:, «Радио и связь» 1984, т.1, -С.455. Т.2, -С.455.

12. Файзуллаев В. А. Назарий физиканинг математик усуллари. –Тошкент: