ФОРМИРОВАНИЕ ПЛЕНОК ДИСИЛИЦИДА ТИТАНА В МОДИФИКАЦИИ С49 НА КРЕМНИИ, СТРУКТУРА, СВОЙСТВА

Mualliflar

  • Асанов Д.Ж.

    AJINIYOZ NOMIDAGI NUKUS DAVLAT PEDAGOGIKA INSTITUTI image/svg+xml

  • Маркевич М.И.

    Физико-технический институт НАН Беларуси, Минск, Беларусь

  • Камалов А.Б.

    AJINIYOZ NOMIDAGI NUKUS DAVLAT PEDAGOGIKA INSTITUTI image/svg+xml

Калит сўзлар: тез иссиқлик билан ишлов бериш (ТИВ), ИК диапазони, С49 модификацияси, титан силициди, фазага ўтиш

Аннотация

Ўтиш металл силитсидларини ҳосил қилиш учун қаттиқ фазали реактсияларни ўтказишнинг энг кенг тарқалган усуллари турли энергия манбаларидан фойдаланган ҳолда тез иссиқлик билан ишлов беришдир (ТИБ). Ушбу усуллар юқори маҳсулдорлик, ишлаб чиқариш ва натижаларнинг такрорланиши билан тавсифланади. Қисқа жараён вақти атроф-муҳитнинг силитсидлар ҳосил бўлишига таъсирини камайтиради, шунингдек, ИМC фаол тузилишининг аллақачон шаклланган элементларига таъсирини камайтиради. Гетеротизимнинг ишлов бериш ҳароратининг ошиши билан ўзгартирилган сиртнинг акс эттириш қобилияти ошиши аниқланди.

Фойдаланилган адабиётлар

1. Иевлев В.М. Формирование пленок силицидов металлов методами импульсной фотонной обработки /С.Б. Кущев//Вес. ВГТУ. Сер. Материаловедение. 1997. Вып.1.- С.8-12.

2. Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве/В.Е. Борисенко.- Минск: «Наука и техника», 1992. –С. 247.

3. Пилипенко В.А. Быстрые термообработки в технологии СБИС /В.А Пилипенко.- Минск: Изд. центр БГУ. 2004. –С. 531.

4. Иевлев В.М. Формирование пленок силицидов металлов методами импульсной фотонной обработки. /С.Б. Кущев //Вес. ВГТУ. Сер. Материаловедение. 1997. Вып.1.- С.8-12.

5. Chaplanov A.M.,,Karwat C, Kolos V.V., Markevich M.I., Stelmakh V.F. Effect of arsenium dose implanted in silicon substrate on titanium silicide growth during pulse photon processing // VIII-th confeference Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons//Kazimiers Dolny, Poland, 2010.- P. 122.

6. Markevich M.I., Malyshko A.N., Chaplanov A.M., Щербакова Е.Н. Formation of thin films of nitrides and silicides of transition metals for micro- and nanoelectronics //Proceedings of Science and Technological Seminar “Korea-Belarus” – Minsk: 25 oct. 2010.- P.19 .

7. Емельяненко Ю.С., Колос В.В., Маркевич М.И., Стельмах В.Ф., Чапланов А.М. Принципы формирования и свойства фоточувствительных структур на основе силицида переходных металлов // Наука – образованию, производству, экономике: материалы 9 Междунар. науч.-техн. конф., г. Минск, 15 апреля 2011г.: в 4 т. / под ред. Б.М. Хрусталева, Ф.А. Романюка, А.С. Калиниченко– Минск: БНТУ, 2011. - Т.3. – С.370.

8. Емельяненко Ю.С., Новосёлов А.М., Маркевич М.И. Об особенностях формирования фотоответа в структурах TiSi2-Si // Наука – образованию, производству, экономике: материалы 9 Междунар. науч.-техн. конф., г. Минск, 15 апреля 2011г: в 4 т. / под ред. Б.М. Хрусталева, Ф.А.Романюка, А.С. Калиниченко – Минск: БНТУ.- 2011. - Т.3. – С372.