ТЕНЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЯ С НАНОКЛАСТЕРАМИ АТОМОВ МАРГАНЦА

Mualliflar

  • Камалов А.Б.

    AJINIYOZ NOMIDAGI NUKUS DAVLAT PEDAGOGIKA INSTITUTI image/svg+xml

  • Жалелов М.А.

    AJINIYOZ NOMIDAGI NUKUS DAVLAT PEDAGOGIKA INSTITUTI image/svg+xml

  • Турсынбаев С.А.

    AJINIYOZ NOMIDAGI NUKUS DAVLAT PEDAGOGIKA INSTITUTI image/svg+xml

Калит сўзлар: яримўтказгич, босим, нанокластер, тензохоссалари, марганец, диффузия

Аннотация

Оддий яримўтказгич материаллардан фарқли равишда марганец атомлари нанокластерларига эга бўлган кремнийда хона ҳароратида етарлича юқори тензосезувчанлиги кузатилади, буни мавжуд назария билан тушунтириш қийин. Олинган материалларни юқори тензосезувчанлиги босим таъсирида марганец атомларининг нанокластерлари ҳолатининг ўзгариши билан боғлиқдир. Ушбу маълумотлар шуни кўрсатадики, марганец атомлари нанокластерларига эга кремний янги синф датчикларини яратиш учун истиқболли материал бўлиб хизмат қилиши мумкин. Марганец атомларининг нанокластерларининг консентрацияси ва заряд ҳолатини назорат қилиш орқали олинган материалнинг деформацияга сезгирлигини ўзгартириш мумкин.

Фойдаланилган адабиётлар

1. Проценко И.Г, Брусенцов Ю.А. Определение механических деформаций и напряжений полупроводниковыми тензочувствительными элементами. // Вопросы современной науки и практики. Университет им. В.И. Вернадского. Россия, 2014. № 1 (50). -С. 272-280.

2. Турсынбаев С.А. Влияние температуры на тензоэлектрические свойства кремния с нанокластерами атомов марганца. Наноструктурные полупроводниковые материалы в фотоэнергетике. II Международная научная конференция. 19-20 ноября 2021. -С. 195-198.

3. Турсынбаев С.А. Нанокластерли кремнийнинг доимий босим ва ўзгарувчан электр майдони таъсирида тензоэлектрик хусусиятлари. “Яримўтказгичлар физикаси, микро- ва наноэлектрониканинг фундаментал ва амалий муаммолари” I-Халхаро анжуман. –Ташкент: 2021, 28-29-октябрь. -С. 150.

4. Isamov S.B., Tursinbaev S.A., Isakov B.O., Movlonov N.T., Bozorov F.R. Nanoklasterli yarim o’tkazgichlarga bosimning ta’sirini o’rganuvchi qurilma yaratish. Ферганский государственный университет. Международная научная конференция. “Тенденции развития физики конденсированных сред”. –Фергана: 25 май, 2021, -С.32-35.

5. Турсынбаев С.А. Тензотермические свойства кремния с нанокластерами атомов марганца. Материалы международной конференции «Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниковых микро- и наноструктурах». –Фергана: 2020, -С. 204-206..

6. Турсынбаев С.А. Тензочувствительность кремния с нанокластерами атомов марганца. Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова, Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники, “Наноструктурные полупроводниковые материалы в фотоэнергетике” сборник докладов международной научной конференции, 2020-йил 9-10-октябрь, -С.176-179.

7. Турсынбаев С.А., Камалов А.Б., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Кушиев Г.А. Тензосвойства кремния с нанокластерами // Физика полупроводников и микроэлектронике. 2019, том 1, выпуск 4. DOI 10.37681 / 2181 – 9947, 2019. 4.

8. Илиев Х.М., Камалов А.Б., Турсынбаев С.А. Кремний с нанокластерами атомов марганца – новый материал для тензодатчиков. // Наука и общество. 2020, №4 -С.7-9

9. Kamalov A.B., Tursinbaev S.A., Iliyev Kh.M., Shoabdurakhimova M.M. Influence of lighting on tenso-sensitivity of silicon doped with manganese. Scientific-technical journal. 2020. V.3, №5. -P. 45-47

10. Muratov A.S., Kamalov А.B., Tursinbaev S.A. Installations for studying the strain properties of silicon with nanoclusters of impurity atoms. // Science and Education in Karakalpakstan. 2021. №2 (17). С. 4-7.