ОПТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ КРЕМНИЯ ЛЕГИРОВАННОГО ФОСФИДОМ ГАЛЛИЯ

Mualliflar

  • Зикриллаев Н.Ф.

    Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti image/svg+xml

  • Камалов А.Б.

    AJINIYOZ NOMIDAGI NUKUS DAVLAT PEDAGOGIKA INSTITUTI image/svg+xml

  • Турекеев Х.С.

    Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti image/svg+xml

Калит сўзлар: кремний, галлий, фосфор, диффузия, рентгенограмма

Аннотация

Тажрибада бошланғич материал сифатида КДБ-10 монокристалли кремний ишлатилган. Диффузия учун диффузант сифатида галюм фосфид кристалини майдалаш натижасида олинган кукун ишлатилган. Диффузиядан кейин ўтказувчанлик тури н-типга эга эди. Уларнинг оптик хоссаларида янги чўққиларнинг пайдо бўлишини кремнийда галлий ва фосфор атомларининг бинар элементар панжара ҳосил қилиши билан изоҳлаш мумкин.

Фойдаланилган адабиётлар

1. Бахадирханов М.К., Зикриллаев Н.Ф., Исамов С.Б., Турекеев Х.С., Валиев С.А. Влияние наличия достаточно высокой концентрации фосфора на концентрационное распределение галлия в кремнии. Физика и техника полупроводников. Т.56. вып. 2, -С. 199-203, 2022.

2. Бахадирханов М.К., Исамов С.Б., Физические основы формирования гетероворизонной структуры на основе кремния. Журнал технической физики. Т. 91, № 11, -С. 1678. 2021.

3. Бахадирханов М.К., Исамов С.Б., Зикриллаев Н.Ф., Илиев Х.М., и др., Функциональные возможности кремния с нанокла- стерами атомов марганца. Электронная обработка материалов. Т. 2, -С.14. 2020.

4. Bakhadirkhanov M.K., Isamov S.B., Kenzhaev Z.T., New materials for photovoltaics and optoelectronics based on silicon with bi- nary nanoclusters of impurity atoms with controllable parameters. Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering. V.2, №5, -Р.9, 2020.

5. Saidov A.S., Saparov D.V., Usmonov Sh.N., Kutlimratov A., Abdiev J.M., Kalanov M., Razzakov A.Sh. and Akhmedov A.M. Investigation of the Crystallographic Perfection and Photoluminescence Spectrum of the Epitaxial Films of (Si2)1-x(GaP)x (0≤x≤1) Solid Solution, Grown on Si and GaP Substrates with the Crystallographic Orientation (111). Advances in Condensed Matter Physics. 2021.

6. Зайнабиддинов C.З., Саидов А.С, Бобоев А.Й., Усмонов Ж.Н. Особенности свойств поверхности полупроводникового твѐрдого раствора (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y с квантовыми точками ZnSe. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. №1. -С.107-112. 2021.

7. Cаидов А.C., Уcмонов Ш.Н., Каланов М.У., Куpмантаев А.Н., Бахтибаев А.Н. Cтpуктуpные и некотоpые электpофизи- чеcкие cвойcтва твеpдого pаcтвоpа Si1−xSnx (0 ≤ x ≤ 0.04). Физика твердого тела. Т. 55, вып. 1, -С. 36-43. 2013.

8. Ковба Л.М., Трунов В.К. Рентгенофазовый анализ. –Москва: 1976.

9. Зикриллаев Н.Ф., Исамов С.Б., Турекеев Х.С., Камалов А.Б., Акимова Ж.О. Кремнийга фосфор ва галлийнинг кетма-кет диффузияси натижасида галлий концентрациясининг ошиши. // «Фан ва жамият» НДПИ. №3. 21-23-б. 2021.