ВЛИЯНИЕ УЛЬТРАЗВУКОВОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ПАРАМЕТРЫ В СТРУКТУРЕ Al-Al2O3–p-CdTe-Mo

Mualliflar

  • Утениязов А.К.

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • Даулетмуратов Б.К.

    AJINIYOZ NOMIDAGI NUKUS DAVLAT PEDAGOGIKA INSTITUTI image/svg+xml

  • Нсанбаев М.Т.

    AJINIYOZ NOMIDAGI NUKUS DAVLAT PEDAGOGIKA INSTITUTI image/svg+xml

  • Асанова А.Т.

    Karakalpak State University image/svg+xml

Калит сўзлар: ультратовуш нурланиши (УТН), пленка, МОЯЎ - тузилма, инжекция, жуфтлашган рекомбинация комплекси, токнинг тез ўсиши

Аннотация

Бу мақолада Al-Al2O3–p-CdTe-Mo структуранинг рекомбинацион параметрларига ультратовуш нурланишининг (УТН) таъсири ўрганилган. Аниқландики, бундай структурада мувозанатсиз ташувчиларнинг рекомбинацияси мураккаб жуфтлашган рекомбинация комплекслари орқали содир бўлади ва ультратовуш таъсири натижасида ҳам майда акцепторлар миқдори ҳам чуқур рекомбинация марказлари сони ортади.

Фойдаланилган адабиётлар

1. G l o e c k l e r M . , S a n k i n I . A n d Z h a o Z . CdTe solar cells on the doorstep up to 20% efficiency. IEEEJ:. Photovolt. vol. 3, no. 4, pp. 1389-1393, 2013.

2. Харбеке Г. Поликристаллические полупроводники. -M.: «Mир»,1989, -С. 341.

3. Muzafarova S.A., Aitbaev B.U., MirsagatovSh.A., Durshimbetov K., Zhanabergenov Z. Research of an intermediate layer on in- terface, n+-CdS/p-CdTe. Semiconductor, vol. 42, no.12, 2008, -Р. 1409-1414.

4. Khrypunov G. Development оrganicвackсontact for thin-film CdS/CdTe solar cell / G. Khrypunov, S. Bereznev, A. Meriuts, G. Kopach, N. Kovtun, N. Deyneko // Physics And Chemistry of Solid State. 2010. Vol. 11, Issue 1. –Р. 248-251.

5. Wu. H. p-CdTe/n-CdS photovoltaic cells in the substrate configuration / H. Wu. – Rochester, -N-Y.: 2014, -Р.104.

6. Zeng, G. Effects of different CdCl2 annealing methods on the performance of CdS/CdTe polycrystalline thin film solar cells / G. Zeng, J. Zhang, B. Li, W. Li, L. Wu, W. Wang, L. Feng / Science China Technological Sciences. 2015. Vol. 58, Issue 5.–pp. 876–880. DOI: 10.1007/s11431-015-5787-2

7. MirsagatovSh.A., Uteniyazov A.K. Injection photodiode based on p-CdTe film. Techn. Phys. Lett. 2012. 38, No 1. pp. 34–37. DOI: 10.1134/S1063785012010099.

8. Мирсагатов Ш.А., Музафарова С.А., Байиев М.С, Ачилов А.С. Исследование реального строения диода с барьером Шот- тки Al-p-CdTe. Узб. Физический журнал, № 12, -С. 154-160, 2010.

9. Ачилов A.С., Заверюхин Б.Н., Каланов М.У., Рустамова В.М. Рентгеновские исследования структуры нового типа A2B6 приемника электромагнитного излучения. ДАН РУз., №2, -С. 24-26, 2014.

10. Uteniyazov A.K., Ismailov K.A. Effect of ultrasound irradiation on the electrophysical properties of the structure of Al–Al2O3– CdTe. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. vol. 22, no 2, -Р. 165-170, 2019. https://doi.org/10.15407/spqeo22.02.165

11. Mirsagatov Sh.A., Uteniyazov A.K. The mechanism of current transport in the structure Al-p-CdTe-Mo with different thickness of the base. // PSE, 2015, vol. 13, № 3, -Р. 325-329.

12. Leyderman A.Yu., Minbaeva M.K. Direct rapid growth mechanism current in semiconductor diode structures. //Semiconductors, vol.30, no. 11, -Р. 1729-1738, 1996.

13. Leyderman A.Yu., Uteniyazov A.K., Nsanbaev M.T. Recombination processes in the Al-n-Al2O3-p-CdTe-Mo structure]. // Inter- national Scientific journal ―Global science and innovations 2020: Central Asia‖ Nur-Sultan, KAZAKHSTAN, Feb-March 2020, № 3(3), -Р. 29-32.

14. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твѐрдых телах. –Москва: «Мир», 1972. –С. 416.

15. Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. –Москва: «Советское радио», 1978, -С.320.

16. Mirsagatov Sh.A., Uteniyazov A.K., Achilov A.S. Mechanism of Current Transport in Schottky Barrier Diodes Based on Coarse- Grained CdTe Films. // Physics of the Solid State. 2012. 54, № 9. -P. 1643-1654.