КРЕМНИЙ С НАНОКЛАСТЕРАМИ АТОМОВ МАРГАНЦА – НОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТЕНЗОДАТЧИКОВ

Mualliflar

  • Турсынбаев С.А.

    AJINIYOZ NOMIDAGI NUKUS DAVLAT PEDAGOGIKA INSTITUTI image/svg+xml

Калит сўзлар: кремний, марганец, тензохоссалар, нанокластер, босим, ҳарорат, ёритилганлик

Аннотация

Таркибида марганец атомлари нанокластерлари бўлган кремнийнинг тензохоссалари оддий яримўтказгичлар, жумладан турли киришма атомлари билан легирланган кремний, тензохоссаларидан фарқ қилиши кўрсатилган. Ҳарорат ва ёритилганликнинг ортиши материал тензосезгирлигининг сезиларли даражада ортишига олиб келиши топилган. Топилган натижалар нанокластер (квант нуқталар) да ҳамда материалда ташкил топган минизоналарда энергетик спектрлар кенгайиши билан тушунтирилади.

Фойдаланилган адабиётлар

1. Проценко И.Г., Брусенцов Ю.А. Определение механических деформаций и напряжений полупроводниковыми тензочувствительными элементами // Вопросы современной науки и практики. Университет им. В.И. Вернадского. Россия, 2014, №1(50). -С. 272-280.

2. Дружинин А.А., Кутраков А.П., Лях-Кагуй Н.С., Вуйцик А.М. Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013, №4. -С. 23-26.

3. Бахадырханов М.К., Аюпов К.С., Мавлянов Г.Х., Илиев Х.М., Исамов С.Б. Фотопроводимость кремния с нанокластерами атомов марганца // Микроэлектроника. –Москва: 2010, Т. 39. Вып. 6. -С. 426-429.

4. Bakhadyrkhanov M.K., Mavlonov G. Kh., Isamov S. B., Iliev Kh. M, Ayupov K.S., Saparniyazova Z. M., and Tachilin S. A. Transport Properties of Silicon Doped with Manganese via Low_Temperature Diffusion // Inorganic Materials. Russia. 2011, Vol. 47, No. 5, -Р. 479–483.

5. Баринов И.Н. Полупроводниковые тензорезистивные датчики давления на основе КНД_структуры // Компоненты и технологии. –Москва: 2009, № 5, -С. 12-15.

6. Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Зикриллаев Х.Ф. Влияние одноосного сжатия на фотопроводимость сильнокомпенсированного Si . // Письма в ЖТФ. – 1998, - Т.24. №22. –С. 23-28.

7. Моллаев А. Ю., Арсланов Р. К., Камилов И. К., Арсланов Т.Р., Залибеков У.З., Федорченко И. В. Влияние высокого давления на электросопротивление и изменение объема в ферромагнитных полупроводниках AIIBIV CV: Mn // Журнал Неорганической химии. -Москва: 2015, Т. 60. Вып. 8, -С. 1095-1099.

8. Бахадырханов М.К., Абдураимов А. Влияние упругого сжатия в направлении [100] на параметры ТЗН в кремнии, легированном марганцем. // Физика и техника полупроводников. - 1986. - Т. 20. - Вып. 9. - С. 1561-1564.

9. Турсынбаев С.А., Камалов А.Б., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Кушиев Г.А. Тензосвойства кремния с нанокластерами. // Физика полупроводников и микроэлектронике. Научный журнал. 2019, том 1, выпуск 4. Издательство ООО «VNESHINVESTPROM». –Ташкент: DOI 10.37681/2181-9947-2019-4.

10. Маматкаримов О.О., Хамидов Р.Х. Тензорезистивный эффект кремнии с примесью олова при статическом и динамическом давлениях. Письма в ЖТФ. 2003. Т.29. №3. -С. 24 - 28.