ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ НА СВОЙСТВА МДП СТРУКТУР

Mualliflar

  • Исмайлов Б.К.

    Karakalpak State University image/svg+xml

  • Аметов Р.А.

    AJINIYOZ NOMIDAGI NUKUS DAVLAT PEDAGOGIKA INSTITUTI image/svg+xml

  • Нурниязов П.К.

    AJINIYOZ NOMIDAGI NUKUS DAVLAT PEDAGOGIKA INSTITUTI image/svg+xml

Калит сўзлар: МДЯ конструкцияси, гидростатик босим, Шоттки диоди

Аннотация

Бу мақолада уч қаватли констукциали Al-n-Si -SiO2 –Al га гидростатик босимнинг таъсир этишидаги релаксацион характеристикаси ўрганилди. 15÷20 дақиқа давомида 8 кбар босим берилишида юза ҳолатининг интеграль зичлиги камайишига олиб келиб, бу марказий ҳажм генерациясига таъсир қилмайди.

Фойдаланилган адабиётлар

1. Примаченко В.Е., Кириллова С.И., Чернобай В.А., Венгер Э.Ф. Электронные состояния на Si-SiO2 граница (обзор). // Физика полупроводников, Квантовая электроника и оптоэлектроника, 8 (4), п. 38-54. 2005.

2. Меньшикова Т.Г., Бормонтов А.Е., Гянджа В.В. Влияние встроенных колебаний заряда на электрофизические характеристики МДП-констукцию // Вестник ВГУ, Сер. Физика, Математика. № 1, -С.. 75- 79. 2005.

3. Озаренко А.В., Брусенцов Ю.А., Королев А.П. Особенности тензорезистивного эффекта в констукцие металл-диэлектрик-полупроводник в условиях статического и неоднородная деформация. // Вестник ТГТУ, 14 (1), п. 158-163, 2008.

4. Климчицкая Г.Л., Федорцов А.Б., Чуркин Ю.В., Юрова В.А. Казимир Форс давление на изолирующий слой в структурах металл-изолятор-полупроводник. // Физика твердого тела State, 53 (9), p. 1921-1926, 2011.

5. Неизвестный И.Г., Гридчин А.А., Применение напряженный кремний в МОП-транзисторах и КМОП структуры. // Российская микроэлектроника, 38 (2), -С. 71- 86. 2009.

6. Власов С.И., Маматкаримов А.А., Овсянников А.В., Сапаров Ф.А. Влияние давления на создание микропространственных включений на поверхностях металл-полупроводниковых структур, в 9-м совместном Узбекско-Корейский симпозиум. Нанонаука: проблемы и перспективы. Квантовые функциональные материалы и Приборы. Рефераты. -С. 29, 2010.

7. Cheng-Yi Peng, Ying-Jhe Yang, Yen-Chun Fu, Ching-Fang Huang, Shu Tong Chang, Chee Wee Liu, Effects of applied mechanical uniaxial and biaxial tensile strain on the flat band voltage of (001), (110), and (111) metal-oxide-siliconcapacitors // IEEE Trans. Electron Dev. 56(8), p. 1736-1745, 2009.

8. Зайнабидинов С.З., Власов С.И., Каримов И.Н. Влияние никеля и γ-облучения на плотность поверхностные состояния. // Физ. Техн. Poluprov. 20 (7), п. 1348. 1986.

9. Гайворонский А.Т., Яковлев Ю.И., Береснев Б.И., Булычев Д.K., Гидростат Л.Г. // Приборы и Техника Эксперимента, № 5, -С. 232, 1981.

10. Берман Л.С., Власов С.И., Морозы В.Ф. Идентификация остаточных глубоких примесей в полупроводниковые приборы, использующие переходные процессы спектроскопия // Известия АН СССР. Многосерийный телефильм физика, 42 (6), -С. 1175-1178, 1978.