THE INFLUENCE OF MICROWAVE RADIATION TO THE ELECTROPHYSICAL CHARACTERISTICS OF AU-TIB X –GAAS DIODE STRUCTURE
Mualliflar
-
Kaypnazarov S.G.
Nukus Branch of Tashkent University of Informarion Technologies
Калит сўзлар: диодли структура, электрофизик ҳарактеристика, микро тўлқин нурланиши, деградация механизми, ички механик кучланиш (ИМК), ЖЙЧ нурлантириш, Шоттки диодлари, эгрилик радиуси, планар технология, кенгайтириш параметри
Аннотация
Фойдаланилган адабиётлар
1. Bojkov V.G., Kashkan A.A., “Vliyanie krivizni’ kontakta metal-poluprovodnik s bar’erom Schottky na pryamuyu voltampernuyu xarakteristiku” Elektr.texn/ Ser/2/ Poluprovodnikovie pribori’. 1981, №7. P/12-18
2. Thkorik Yu.A., Khazan L.S., Plasticheskaya deformatsiya i dislokatsii nesootvetstviya v geteroepitaksial’ni’x sistemax. -Kiev: «Naukova dumka», 1983. 303- p.
3. Ismailov K.A., Konakova R.V., Tkhorik Yu.A., Khazan L.S. Effekti relaksacii vnutrenni’x napryanejii v generatorni’x SVCh diodax pod vliyaniem sil’ni’x electricheskix poley” Elektron.texn. Ser.2. Poluprovodnikovie pribori’. 1989. №5(202). P. 23-27.
4. Belyaev A.A., Belyaev A.E., Ermolovich I.B., Komirenko S.M., Konakova R.V., Lyapin V.G., Milenin V.V., Solov’ev E.A., Shevelev M.V. Vliyanie sverxvisokochachtotnoy obrabotki na elektrofizicheskie xarakteristiki texnicheski vajni’x poluprovodnikov i poverxnostno-bar’erni’x struktur. // JTF. 1998. T.68. Ed.12. 49-53-p.
5. Ismailov K.A., Kamalov A.B., Usenov B.U. Effekti’ v GaAs diodni’x structurax, voznikayushie pod vozdeystviem mikrovolnovogo izlucheniya. Materials of republican conference. –Nukus: 2011.
6. Ismailov K.A., Ismailov B.K., Kaypnazarov S.G. Relaksatsionni’e mexanizmi’ v poluprovodnikovi’x geterosistemax. Materials of republican conference. Mikroelektronika, nanozarralar fizikasi va texnologiyalari. –Andijon: 2015.