Marganets bilan legirlangan kremniyda manfiy magnit qarshilik

Authors

  • M.X Madjitov

    Tashkent State Technical University named after Islam Karimov image/svg+xml

Keywords: silicon, magnetic semiconductor, manganese nanoclusters, magnetic resistance

Abstract

A large negative magnetoresistance phenomenon has been observed at room temperature by forming magnetic nanoclusters of manganese doped atoms in silicon by low-temperature diffusion. It has been shown that the negative magnetoresistance value can be controlled by controlling the concentration of manganese nanoclusters in silicon.

References

1. Ludwig G.W., Woodbury H.H., Carlson R.O. Spin Resonance of Deep Level Impurities in Germanium and Silicon // J.Phys.Chem. Sol., 1959. V.8. -P.490.

2. Фистуль В.И., Казакова В.М., Бобриков Ю.А., Рябцев А.В., Абдурахманов К.П., Зайнабидинов С., Камилов Т.С., Утаму- радова Ш.Б. О состоянии примесных ионов марганца в кремнии // Физика и техника полупроводников. – Санкт–Петербург, 1982. -Т.: 16. В.5– С. 939-941.

3. Kreissl J., Gehlhoff W. Electron Paramagnetic Resonance of the Cluster in Silicon // phys.stat.sol. 1988.– V.145 (b).– P. 609- 616.

4. Алексеенко В.В. О механизме диффузии атомов в конденсированных средах. // ФТТ. - Т. 50.– В.10.– С. 1775-1778.

5. Бахадирханов М.К., Аюпов К.С., Арзукулов Э.У., Сражев С.Н., Тошбоев Т.У. Термические свойство кремния с класте- рами атомов никеля //Физика.–Томск, 2008.– № 3 (11).– C.170-172.

6. Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Мавлянов Г.Х., Сатаров О.Э., Эгамбердиев Б.Э., Сапарниязова З.П., Тачилин С.А. По- движность носителей заряда в кремнии с многозарядными нанокластерами атомов марганца // VI – международная конферен- ция и V – школа молодых ученных и специалистов. Кремний–2009. –Новосибирск: 7-10 июля, 2009.

7. Бахадырханов М.К., Абдурахманов Б.А. Физико-технологические основе формирования кластеров примесных атомов в кремнии. // Доклады АН РУз. –Ташкент: 2013. № 3. -С. 29-33.

8. Bakhadyrkhanov M.K., Mavlonov G.Kh., Isamov S.B., Iliev Kh.M., Ayupov K.S., Saparniyazova Z.M. and S.A.Tachilin. Transport Properties of Silicon Doped with Manganese via Low Temperature Diffusion // Inorganic Materials, 2011, Vol. 47, No. 5, -Р. 479-483.

9. Bakhadyrkhanov M.K., Ayupov K.S., Mavlyanov G.Kh., Iliyev Kh.M., and Isamov S.B. Photoconductivity of Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms // Russian Microelectronics, 2010, Vol. 39, №. 6. -Р. 401-404.