[1]
М. Б. Шарибаев, О. Н. Юсупов, и Ш. К. Каландарова, «ВЛИЯНИЕ ПРОТЯЖЕННЫХ ДЕФЕКТОВ НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК ZnTe/GaAs», SS, вып. 3-1, сс. 34–36, май 2026, просмотрено: авг. 08, 2026. доступно на: https://journal.ndpi.uz/ss/article/view/2026-3-1-010