THE INFLUENCE OF MICROWAVE RADIATION TO THE ELECTROPHYSICAL CHARACTERISTICS OF AU-TIB X –GAAS DIODE STRUCTURE - Kaypnazarov, S.G. (НАУКА и ОБЩЕСТВО, 2017)
Структура диода AU-TiBx-GaAs определила улучшение параметров структур микроволновых излучений на промежутке времени 0-20 с и времени влияния. В результате воздействия микроволн была показана отраслевая температурная устойчивость данных диодовых структур. Под воздействием этих факторов были определены изменения внешнего радиуса кривизны.
Keywords: диодная структура; электрофизическая характеристика; микроволновые излучения; деградационный механизм; внутреннее механическое напряжение (ВМН); СВЧ излучения; диоды Шоттки; радиус кривизны; планарная технология; параметр уширений