DIFFUZIYA USULI BILAN LEGIRLANGAN KREMNIYDA RUX VA SELEN ATOMLARINI ELEKTROFIZIK XUSUSIYATLARINI TAHLIL QILISH - Tursunov, O.B. (НАУКА и ОБЩЕСТВО, 2022)
Существующие в настоящее время технологические методы получения полупроводниковых материалов для разработки эффективных фотоэлементов с максимальным КПД и стабильными электрофизическими параметрами практически достигли своего предела. Для дальнейшего повышения основных параметров фотоэлементов необходимо использовать нетрадиционные свойства полупроводниковых материалов или требует обнаруженные новых физических явления. Современное развитие микро- и оптоэлектроники вызывает интерес к синтезу новых материалов в том числе и на основе полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6. Поскольку ширина запрещенной зоны и постоянная решетки таких соединений меняются в определенных пределах, в зависимости от концентрации примесных атомов которые влияет на фундаментальных параметрах таких материалов. На их основе можно синтезировать полупроводниковые материалы с широким диапазоном электрических и фотоэлектрических свойств, а также сверхрешетки с квантовыми точками.